[發明專利]一種鍍鋁分劃元件制作方法

有效

• 申請號: 201610444429.9
• 申請日: 2016-06-21
• 公開（公告）號: CN105892084B
• 公開（公告）日: 2018-02-27
• 發明（設計）人: 陳俊霞;張勇;蘇穎;龔濤;張金豹;王苗苗;耿浩;宮秋生;呂紅偉
• 申請（專利權）人: 河南平原光電有限公司
• 主分類號: G02B27/32
• 分類號: G02B27/32
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明屬于光學設備元件的制備技術領域，具體地說涉及一種鍍鋁分劃元件制作方法。

背景技術

在我公司的一種光學產品中要用到一種分劃板，在裝配調試過程中屢次出現分劃鉻層和玻璃基底被激光打壞的現象。該產品要求激光光束（能量約為800瓦，波長為1064nm）聚焦在分劃面上，因此分劃面膜層需要有一定的抗激光損傷的能力。

該零件是鍍鉻分劃板，鉻膜密度要求不低于23號密度樣板，23號密度的鉻膜，在1064nm處的反射率R為40%左右，透過率T幾乎為零，那么吸收率即達到了60%左右，膜層在吸收率高的情況下，其抗激光損傷能力一定很差，不適合用作激光環境中。

發明內容

本發明的目的在于針對上述現有技術的缺陷，提高晝夜兩用分劃元件的的線條質量、分劃精度和加工效率。克服機械刻度法制造晝夜兩用分劃元件存在的分劃線條質量差、分劃精度不高以及加工效率低的問題。

為了實現上述目的，本發明的技術方案是：

一種鍍鋁分劃元件制作方法，該鍍鋁分劃元件制作方法的步驟是：

S1、將拋光后的玻璃光坯，采用鍍鋁的工藝方法進行加工，鍍鋁工藝為：清掃真空室—裝填膜料—清擦基片—加熱—保溫—預熔膜料—真空度達到—一次鍍制鋁膜—一次鍍制Al₂O₃—取件—清掃真空室—裝填膜料—清擦基片—加熱—保溫—預熔膜料—二次鍍制鋁膜—二次鍍制Al₂O₃—取件—（照相復制后）補鍍；兩次鍍鋁膜后鋁膜的厚度為1064nm；

S2、取20～25質量份數的三氧化鉻、35～40質量份數的氟化鈉、40質量份數的溴化鎘、1質量份數的可溶淀粉和500質量份數的蒸餾水配制玻璃腐蝕液；

S3、光刻膠：正性光刻膠；其工藝流程為：涂膠→前烘→曝光→中烘→顯影→后烘→腐蝕→清洗→去膠→檢驗零件技術要求→轉下道工序；在腐蝕工序中，用玻璃腐蝕液進行腐蝕。

作為對上述技術方案的改進，工藝過程中控制環境溫度為22℃～26℃，相對濕度為360%～70%，潔凈度6級。

與現有技術相比，本發明所取得有改進和有益效果是：

使用本發明的鍍鋁分劃元件制作方法，所制造的鍍鋁分劃元件達到如下指標：分劃圖案線條整齊，經檢測，分劃圖案（暗背景，亮分劃）指標達到：鋁層密度不低于23號光密度樣板，刻線寬度精度達到0.03±0.005，圖中亮孔尺寸精度φ0.013±0.002。

該方法解決了鍍鉻分劃板易被激光打壞的難題，在玻璃光坯上制作出的鋁層分劃圖案，滿足產品的使用要求。

該方法對分劃元件的制作具有很好的推廣應用價值。可廣泛應用于光學儀器鍍鋁分劃元件的加工。

附圖說明

圖1為本發明的工藝流程圖。

具體實施方式

下面結合附圖和具體實施方式對本發明技術作進一步詳細說明。

如圖1所示，本發明的鍍鋁分劃元件制作方法，該鍍鋁分劃元件制作方法的步驟是：

S1、將拋光后的玻璃光坯，采用鍍鋁的工藝方法進行加工，鍍鋁工藝為：清掃真空室—裝填膜料—清擦基片—加熱—保溫—預熔膜料—真空度達到—一次鍍制鋁膜—一次鍍制Al₂O₃—取件—清掃真空室—裝填膜料—清擦基片—加熱—保溫—預熔膜料—二次鍍制鋁膜—二次鍍制Al₂O₃—取件—（照相復制后）補鍍；兩次鍍鋁膜后鋁膜的厚度為1064nm；

S2、取20～25質量份數的三氧化鉻、35～40質量份數的氟化鈉、40質量份數的溴化鎘、1質量份數的可溶淀粉和500質量份數的蒸餾水配制玻璃腐蝕液；

S3、光刻膠：正性光刻膠；其工藝流程為：涂膠→前烘→曝光→中烘→顯影→后烘→腐蝕→清洗→去膠→檢驗零件技術要求→轉下道工序；在腐蝕工序中，用玻璃腐蝕液進行腐蝕。

鍍鋁工藝方法：鋁膜在1064nm激光點處的反射率高于80%，因此吸收率較低，且性能穩定，在鋁膜上制作分劃圖案，既能保證分劃板的功用，又有抗激光（能量約為800瓦，波長為1064nm）光束損傷能力。通過采用兩次鍍制鋁膜+氧化鋁保護層的辦法，有效的解決了針孔問題。

玻璃腐蝕液：

以質量份數計的配方為：三氧化鉻20～25、氟化鈉35～40、溴化鎘40、可溶淀粉1、蒸餾水500。

三氧化鉻主要作氧化劑，把鋁氧化成三價鋁。