[發(fā)明專利]一種改進型二極管生產(chǎn)用托盤在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610443799.0 | 申請日: | 2016-06-20 |
| 公開(公告)號: | CN105977192A | 公開(公告)日: | 2016-09-28 |
| 發(fā)明(設計)人: | 劉玉忠 | 申請(專利權(quán))人: | 劉玉忠 |
| 主分類號: | H01L21/673 | 分類號: | H01L21/673 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 225500 江蘇省泰*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 改進型 二極管 生產(chǎn) 托盤 | ||
【權(quán)利要求書】:
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
- 生產(chǎn)系統(tǒng)和生產(chǎn)方法
- 生產(chǎn)設備和生產(chǎn)方法
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