[發明專利]一種厚底氧化層的溝槽式肖特基芯片及制作方法在審
| 申請號： | 201610441090.7 | 申請日： | 2016-06-20 |
| 公開（公告）號： | CN105870207A | 公開（公告）日： | 2016-08-17 |
| 發明（設計）人： | 關仕漢 | 申請（專利權）人： | 淄博漢林半導體有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/872 | 分類號： | H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 淄博佳和專利代理事務所 37223 | 代理人： | 孫愛華 |
| 地址： | 255086 山東省淄博市高新技術*** | 國省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 氧化 溝槽 式肖特基 芯片 制作方法 | ||
【說明書】：
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