[發明專利]一種二維錫烯材料的制備方法有效
| 申請號： | 201610436234.X | 申請日： | 2016-06-17 |
| 公開（公告）號： | CN105951055B | 公開（公告）日： | 2018-07-13 |
| 發明（設計）人： | 宋禹忻;王庶民;張振普;李耀耀;張立瑤 | 申請（專利權）人： | 中國科學院上海微系統與信息技術研究所 |
| 主分類號： | C23C16/18 | 分類號： | C23C16/18;C23C16/56;C30B25/18 |
| 代理公司： | 上海智信專利代理有限公司 31002 | 代理人： | 鄧琪;余永莉 |
| 地址： | 200050 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 襯底 二維 晶體薄膜 單晶 制備 化學鍵 化學鍵形成 常規外延 范圍擴大 非晶態層 外延生長 常規的 鈍化層 界面處 原子層 單層 斷開 商用 轟擊 離子 | ||
【說明書】：
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C23 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制
C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴散法，化學轉化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆，例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上，例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的
C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴散法，化學轉化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆，例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上，例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的
