[發明專利]一種各向同性和各項異性可切換超疏水表面的制備方法

有效

• 申請號: 201610429162.6
• 申請日: 2016-06-16
• 公開（公告）號: CN106082111B
• 公開（公告）日: 2017-05-31
• 發明（設計）人: 成中軍;張恩爽;劉宇艷;呂通;王友善
• 申請（專利權）人: 哈爾濱工業大學
• 主分類號: B81C1/00
• 分類號: B81C1/00;C09D163/00
• 代理公司: 哈爾濱龍科專利代理有限公司23206
• 代理人: 高媛

1.一種各向同性和各項異性可切換超疏水表面的制備方法，其特征在于所述制備方法步驟如下：

一、以PDMS作為中間模板，制備形狀記憶環氧樹脂微米陣列超疏水表面，該表面顯示出各向同性超疏水性；

二、設計具有不同寬度的硅微溝槽的模板對步驟一所制備的微米陣列進行熱壓印，冷卻后，制備出具有不同寬度的微溝槽結構的微米陣列，該陣列表現出各向異性超疏水性；

三、通過熱觸發具有微溝槽結構的微米陣列使材料回復至形狀記憶環氧樹脂微米陣列超疏水表面，各向異性超疏水性恢復至各向同性超疏水性。

2.根據權利要求1所述的各向同性和各項異性可切換超疏水表面的制備方法，其特征在于所述步驟一的具體步驟如下：

將雙酚A縮水甘油醚環氧樹脂E-51、正辛胺、間苯二甲胺以4:1～2:1～2的摩爾比混合，將混合的預聚物澆筑在PDMS中間模板上，脫模后制得形狀記憶環氧樹脂微米陣列超疏水表面。

3.根據權利要求1或2所述的各向同性和各項異性可切換超疏水表面的制備方法，其特征在于所述微米陣列為方形陣列，長寬高為10*10*10 μm ，間距為5～30 μm。

4.根據權利要求1所述的各向同性和各項異性可切換超疏水表面的制備方法，其特征在于所述步驟二的具體步驟如下：

首先將形狀記憶環氧樹脂微米陣列超疏水表面加熱至Tg溫度以上，然后使用具有不同寬度的硅微溝槽的模板在一定載荷下表面進行熱壓印，在載荷下將溫度降低至Tg以下，撤去載荷，臨時形狀固定。

5.根據權利要求4所述的各向同性和各項異性可切換超疏水表面的制備方法，其特征在于所述硅微溝槽的寬度為140～340 μm。

6.根據權利要求4所述的各向同性和各項異性可切換超疏水表面的制備方法，其特征在于所述硅微溝槽的寬度為140 μm、180 μm、220 μm、260 μm、300 μm或340 μm。

7.根據權利要求4所述的各向同性和各項異性可切換超疏水表面的制備方法，其特征在于所述載荷大小為2～5Mpa。

8.根據權利要求1所述的各向同性和各項異性可切換超疏水表面的制備方法，其特征在于所述步驟三的具體步驟如下：

將具有不同寬度的微溝槽結構的微米陣列表面加熱至Tg以上，材料形狀回復至永久形狀。