[發(fā)明專利]一種高反射率太陽能電池背板在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610428594.5 | 申請日: | 2016-06-16 |
| 公開(公告)號(hào): | CN107516689A | 公開(公告)日: | 2017-12-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 許斌 | 申請(專利權(quán))人: | 許斌 |
| 主分類號(hào): | H01L31/049 | 分類號(hào): | H01L31/049 |
| 代理公司: | 北京品源專利代理有限公司11332 | 代理人: | 徐鵬飛 |
| 地址: | 214000 江蘇省無*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 反射率 太陽能電池 背板 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及光伏領(lǐng)域,尤其涉及一種高反射率太陽能電池背板。
背景技術(shù)
太陽能背板位于太陽能電池板的背面,對電池片起保護(hù)和支撐作用,具有可靠的絕緣性、阻水性、耐老化性。
現(xiàn)有市場上的太陽能電池背板,其反射率較低,使得大量的光能被太陽能電池背板吸收,進(jìn)而會(huì)導(dǎo)致電池組件發(fā)熱,從而影響電池壽命,由此,急需解決。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于針對上述問題,提供一種高反射率太陽能電池背板,以解決現(xiàn)有太陽能電池背板反射率低的問題。
本發(fā)明的目的是通過以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn):
一種高反射率太陽能電池背板,包括基層,所述基層為PET薄膜,基層的上端面通過粘合層連接有高反射耐候?qū)樱龈叻瓷淠秃驅(qū)訛殡p向拉伸PET薄膜,且高反射耐候?qū)又刑砑佑袩o機(jī)粒子,所述無機(jī)粒子為碳酸鈣,所述基層的下端面通過粘合層連接有PVDF層。
作為本發(fā)明的一種優(yōu)選方案,所述基層的厚度為50~200μm。
作為本發(fā)明的一種優(yōu)選方案,所述高反射耐候?qū)拥暮穸葹?0~100μm。
作為本發(fā)明的一種優(yōu)選方案,所述PVDF層的厚度為5~50μm。
作為本發(fā)明的一種優(yōu)選方案,所述粘結(jié)層為聚酯膠黏劑。
本發(fā)明的有益效果為,所述一種高反射率太陽能電池背板通過采用添加有 無機(jī)粒子的雙向拉伸PET薄膜作為高反射耐候?qū)樱蟠筇岣吡送该鞫龋M(jìn)而有效提高了太陽能電池背板的反射率,結(jié)構(gòu)簡單、易于實(shí)現(xiàn)。
附圖說明
圖1為本發(fā)明一種高反射率太陽能電池背板的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖中:
1、基層;2、粘合層;3、高反射耐候?qū)樱?、PVDF層。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合附圖并通過具體實(shí)施方式來進(jìn)一步說明本發(fā)明的技術(shù)方案。可以理解的是,此處所描述的實(shí)施例僅僅用于解釋本發(fā)明,而非對本發(fā)明的限定。
請參照圖1所示,圖1為本發(fā)明一種高反射率太陽能電池背板的結(jié)構(gòu)示意圖。
于本實(shí)施例中,一種高反射率太陽能電池背板,包括基層1,所述基層1為PET薄膜,基層1的厚度為50~200μm,基層1的上端面通過粘合層2連接有高反射耐候?qū)?,所述高反射耐候?qū)?的厚度為10~100μm,高反射耐候?qū)?為雙向拉伸PET薄膜,且高反射耐候?qū)?中添加有無機(jī)粒子,所述無機(jī)粒子為碳酸鈣,所述基層1的下端面通過粘合層2連接有PVDF層4,所述PVDF層4的厚度為5~50μm。
上述一種高反射率太陽能電池背板,粘合層2均采用聚酯膠黏劑涂覆后經(jīng)過加熱干燥固化后制得。
所述一種高反射率太陽能電池背板通過采用添加有無機(jī)粒子的雙向拉伸PET薄膜作為高反射耐候?qū)?,大大提高了透明度,進(jìn)而有效提高了太陽能電池背板的反射率,結(jié)構(gòu)簡單、易于實(shí)現(xiàn)。
以上實(shí)施例只是闡述了本發(fā)明的基本原理和特性,本發(fā)明不受上述實(shí)施例 限制,在不脫離本發(fā)明精神和范圍的前提下,本發(fā)明還有各種變化和改變,這些變化和改變都落入要求保護(hù)的本發(fā)明范圍內(nèi)。本發(fā)明要求保護(hù)范圍由所附的權(quán)利要求書界定。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





