[發明專利]低噪聲MOS晶體管及相應電路

在審

• 申請號: 201610427586.9
• 申請日: 2016-05-24
• 公開（公告）號: CN106935634A
• 公開（公告）日: 2017-07-07
• 發明（設計）人: J·希門尼斯
• 申請（專利權）人: 意法半導體（克洛爾2）公司
• 主分類號: H01L29/08
• 分類號: H01L29/08;H01L29/423;H01L29/78
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所11256
• 代理人: 王茂華,董典紅

1.一種集成電路，包括：

位于半導體襯底的有源區域之中和之上的金屬氧化物半導體(MOS)晶體管，

其中所述有源區域由絕緣區域界定，并且

其中所述MOS晶體管的漏極區域與所述絕緣區域分離地設置。

2.根據權利要求1所述的集成電路，其中所述MOS晶體管的絕緣柵極區域具有露出所述有源區域的第一部分的孔，該第一部分形成與所述絕緣區域分離地設置的所述MOS晶體管的漏極區域，并且其中所述MOS晶體管的源極區域位于所述絕緣柵極區域的每側上的區域的第二部分中。

3.根據權利要求1所述的集成電路，其中所述絕緣區域包括淺槽隔離(STI)型絕緣區域。

4.根據權利要求1所述的集成電路，其中所述半導體襯底是絕緣體上硅(SOI)型襯底。

5.根據權利要求1所述的集成電路，其中所述半導體襯底是全耗盡絕緣體上硅(FDSOI)型襯底。

6.根據權利要求1所述的集成電路，所述MOS晶體管的絕緣柵極區域具有位于所述MOS晶體管的漏極區域之上的孔。

7.一種集成電路，包括：

半導體襯底，具有由淺槽隔離界定的有源區域，所述半導體襯底還包括漏極區域和源極區域；以及

位于所述有源區域之上的絕緣柵極，所述絕緣柵極具有貫穿其中而延伸的中心開口，所述中心開口與所述漏極區域對準。

8.根據權利要求7所述的集成電路，其中所述半導體襯底進一步包括環狀圍繞所述漏極區域的溝道區域。

9.根據權利要求7所述的集成電路，進一步包括延伸穿過所述中心開口并與所述漏極區域進行電接觸的漏極接觸。

10.根據權利要求7所述的集成電路，其中所述半導體襯底是絕緣體上硅(SOI)襯底。

11.一種集成電路，包括：

半導體襯底，具有由淺槽隔離界定的有源區域，所述半導體襯底還包括漏極區域和環狀環繞的溝道區域；以及

位于所述有源區域之上的絕緣柵極，所述絕緣柵極具有環狀圍繞中心開口的柵極區域，所述中心開口位于所述漏極區域之上，其中所述柵極區域位于所述溝道區域之上。

12.根據權利要求11所述的集成電路，其中所述半導體襯底進一步包括環狀圍繞所述溝道區域的源極區域。

13.根據權利要求11所述的集成電路，其中所述半導體襯底進一步包括位于所述溝道區域和所述淺槽隔離之間的源極區域。

14.根據權利要求13所述的集成電路，其中所述源極區域與所述溝道區域和所述淺槽隔離這兩者接觸。

15.根據權利要求11所述的集成電路，其中所述半導體襯底是絕緣體上硅(SOI)襯底。