[發(fā)明專利]一種增加演色性的白光LED結(jié)構(gòu)制作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610426652.0
• 申請(qǐng)日: 2016-06-16
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN105932137B
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-03-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吳奇隆;張永;陳凱軒;李俊賢;陳亮
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 廈門乾照光電股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/48
• 分類號(hào): H01L33/48;H01L33/46
• 代理公司: 廈門市新華專利商標(biāo)代理有限公司35203
• 代理人: 廖吉保,唐紹烈

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及LED技術(shù)領(lǐng)域，尤其是指一種增加演色性的白光LED結(jié)構(gòu)制作方法。

背景技術(shù)

現(xiàn)有技術(shù)中，提高白光演色性的方式主要有以下幾種：一，使用高演色性的螢光粉，其缺陷在于：高演色性螢光粉的效率較低。二，在封裝體中多放一顆高效率紅光芯片，來(lái)提高紅光的分量，進(jìn)而提高演色性，也能維持發(fā)光效率，其缺陷在于：造成封裝成本與封裝體積皆會(huì)增加。

有鑒于此，為克服現(xiàn)有技術(shù)所述缺陷，本發(fā)明提出一種增加演色性的白光LED結(jié)構(gòu)，本案由此產(chǎn)生。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種增加演色性的白光LED結(jié)構(gòu)制作方法，以減少封裝體積和使用的封裝面積，提高白光的演色性，且混光效果較好。

為達(dá)成上述目的，本發(fā)明的解決方案為：

一種增加演色性的白光LED結(jié)構(gòu)制作方法，包括以下步驟：

一，在藍(lán)光外延芯片正面進(jìn)行ICP蝕刻至N-GaN表面，在N-GaN表面蒸鍍N電極，在P-GaN上蒸鍍銦錫氧化物（ITO），在銦錫氧化物（ITO）上蒸鍍P電極；

二，在紅光四元外延芯片的GaP層上蒸鍍p型歐姆接觸材料形成P型歐姆接觸層；

三，在藍(lán)光外延芯片正面涂覆有機(jī)黏著膠，然后鍵合在暫時(shí)襯底上，研磨藍(lán)光外延芯片背面的襯底，在研磨后的襯底上蒸鍍氧化物材料形成DBR層，然后在DBR層上涂布有機(jī)黏著膠或無(wú)機(jī)黏著膠形成鍵合層后，再與四元外延芯片進(jìn)行對(duì)位式鍵合，與四元外延芯片的P型歐姆接觸層鍵合；

四，先將四元外延芯片的砷化鎵襯底去除，再蒸鍍形成N型歐姆接觸層，在N型歐姆接觸層上蒸鍍反射鏡，在反射鏡上沉積隔絕層，對(duì)隔絕層進(jìn)行穿孔分別至P型歐姆接觸層和N型歐姆接觸層，在穿孔中分別生長(zhǎng)P型電極與P型歐姆接觸層連接及N型電極與N型歐姆接觸層連接；

五，將暫時(shí)襯底去除，裂片即得。

進(jìn)一步，在形成P型歐姆接觸層后，對(duì)GaP層進(jìn)行表面粗化或表面圖形化處理，增加取光率。

進(jìn)一步，P型歐姆接觸層為金鈹合金、金鋅合金或者銦錫氧化物（ITO）。

一種增加演色性的白光LED結(jié)構(gòu)，包括藍(lán)光外延芯片、紅光四元外延芯片及鍵合層；藍(lán)光外延芯片與紅光四元外延芯片之間借助鍵合層鍵合；藍(lán)光外延芯片的襯底研磨后蒸鍍DBR層，紅光四元外延芯片的四元外延層一側(cè)生長(zhǎng)GaP外延層，GaP外延層上生長(zhǎng)P型歐姆接觸層，四元外延層另一側(cè)生長(zhǎng)N型歐姆接觸層，N型歐姆接觸層上生長(zhǎng)反射鏡，反射鏡上生長(zhǎng)隔絕層，隔絕層上分別設(shè)置與N型歐姆接觸層連接的N型電極和與P型歐姆接觸層連接的P型電極；鍵合層一側(cè)與DBR層鍵合，鍵合層另一側(cè)與四元外延層的P型歐姆接觸層鍵合。

進(jìn)一步，P型歐姆接觸層為金鈹合金、金鋅合金或者銦錫氧化物（ITO）。

進(jìn)一步，藍(lán)光外延芯片的襯底上生長(zhǎng)藍(lán)光外延結(jié)構(gòu)，藍(lán)光外延結(jié)構(gòu)的N型氮化鎵上生長(zhǎng)N型電極，藍(lán)光外延結(jié)構(gòu)的P型氮化鎵上生長(zhǎng)ITO，ITO上生長(zhǎng)P型電極。

進(jìn)一步，鍵合層為有機(jī)黏著膠或者無(wú)機(jī)黏著膠。

采用上述方案后，本發(fā)明在芯片前制程端的狀態(tài)下先將藍(lán)光與紅光芯片用芯片工藝結(jié)合在一起成為單一芯片，減少芯片在封裝端所使用的面積，從而減少封裝體積和使用的封裝面積，提高白光的演色性。

同時(shí)，本發(fā)明利用設(shè)計(jì)無(wú)金屬布拉格反射鏡(DBR)將特定的藍(lán)光波段全部反射而其他波段透射，且藍(lán)光與紅光在同一位置發(fā)光，使得混光效果較好。

附圖說(shuō)明

圖1a至圖1d是本發(fā)明正裝藍(lán)光芯片的工藝流程圖；

圖2a至圖2c是本發(fā)明紅光芯片的工藝流程圖；

圖3a至圖3c是本發(fā)明藍(lán)光芯片襯底研磨工藝流程圖；

圖4是本發(fā)明紅光芯片與藍(lán)光芯片的鍵合示意圖；

圖5是本發(fā)明完成四元倒裝芯片示意圖；

圖6是本發(fā)明裂片后的結(jié)構(gòu)示意圖。

標(biāo)號(hào)說(shuō)明

藍(lán)光外延芯片1 襯底11

DBR層12 N型氮化鎵13

ITO14 有機(jī)黏著膠15

暫時(shí)襯底16四元外延芯片2

四元外延層21GaP外延層22

P型歐姆接觸層23 N型歐姆接觸層24

反射鏡25隔絕層26

砷化鎵襯底27鍵合層3。

具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖及具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明做詳細(xì)描述。