[發(fā)明專利]一種具有阱區(qū)摻雜的發(fā)光二極管外延生長方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610425239.2 | 申請日： | 2016-06-16 |
| 公開（公告）號： | CN106098862A | 公開（公告）日： | 2016-11-09 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 林志偉;陳凱軒;張永;卓祥景;姜偉;汪洋;童吉楚;方天足 | 申請（專利權(quán)）人： | 廈門乾照光電股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 廈門市新華專利商標代理有限公司 35203 | 代理人： | 廖吉保;唐紹烈 |
| 地址： | 361000 福建省廈門市*** | 國省代碼： | 福建;35 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 具有 摻雜 發(fā)光二極管 外延 生長 方法 | ||
【權(quán)利要求書】：
下載完整專利技術(shù)內(nèi)容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于廈門乾照光電股份有限公司，未經(jīng)廈門乾照光電股份有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201610425239.2/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
