[發(fā)明專利]電壓發(fā)生單元的檢測電路及檢測方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610422956.X
• 申請日: 2016-06-15
• 公開（公告）號: CN107515328A
• 公開（公告）日: 2017-12-26
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 鄧志兵;楊家奇;黃正乙;黃正太;翁文君
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
• 主分類號: G01R19/165
• 分類號: G01R19/165
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11227
• 代理人: 張振軍,吳敏

1.一種電壓發(fā)生單元的檢測電路，其特征在于，所述電壓發(fā)生單元的輸出端輸出的驅(qū)動電流低于10nA；所述檢測電路包括：

參考電壓發(fā)生器，適于輸出參考電壓，并經(jīng)由所述參考電壓發(fā)生器的輸出端輸出，所述參考電壓按照幅度順序遞增或遞減；

電壓比較器，適于比較所述電壓發(fā)生單元的輸出端輸出的被測電壓與所述參考電壓，所述電壓比較器的輸出端輸出比較結(jié)果并傳輸至所述參考電壓發(fā)生器；

其中，當所述比較結(jié)果翻轉(zhuǎn)時，所述參考電壓發(fā)生器停止改變所述參考電壓的幅度并將當前的參考電壓作為檢測結(jié)果。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電壓發(fā)生單元的檢測電路，其特征在于，所述電壓發(fā)生單元設(shè)置于第一芯片中，所述電壓比較器設(shè)置于所述第一芯片片外。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電壓發(fā)生單元的檢測電路，其特征在于，所述參考電壓發(fā)生器設(shè)置于所述第一芯片片外。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電壓發(fā)生單元的檢測電路，其特征在于，還包括：控制單元，適于控制所述參考電壓發(fā)生器按照預設(shè)的電壓梯度生成按照幅度順序遞增或遞減的參考電壓。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電壓發(fā)生單元的檢測電路，其特征在于，還包括：

第一阻抗，所述第一阻抗的第一端耦接所述電壓發(fā)生單元的輸出端，所述第一阻抗的第二端耦接所述參考電壓發(fā)生器的輸出端；

電流流向檢測器，適于檢測流經(jīng)所述第一阻抗的電流流向。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至5任一項所述的電壓發(fā)生單元的檢測電路，其特征在于，所述電壓發(fā)生單元設(shè)置于物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備中。

7.一種電壓發(fā)生單元的檢測方法，其特征在于，所述電壓發(fā)生單元的輸出端輸出的驅(qū)動電流低于10nA；所述檢測方法包括：

生成參考電壓，所述參考電壓按照幅度順序遞增或遞減；

比較所述電壓發(fā)生單元的輸出端輸出的被測電壓與參考電壓，以產(chǎn)生比較結(jié)果，當所述比較結(jié)果翻轉(zhuǎn)時，停止改變所述參考電壓的幅度并將當前的參考電壓作為檢測結(jié)果。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電壓發(fā)生單元的檢測方法，其特征在于，使用電壓比較器比較所述被測電壓與參考電壓。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電壓發(fā)生單元的檢測方法，其特征在于，使用參考電壓發(fā)生器生成所述參考電壓。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電壓發(fā)生單元的檢測方法，其特征在于，所述電壓發(fā)生單元的輸出端和所述參考電壓發(fā)生器的輸出端之間連接有第一阻抗，所述檢測方法還包括：

檢測流經(jīng)所述第一阻抗的電流流向，當所述電流流向改變時，停止改變所述參考電壓的幅度并將當前的參考電壓作為檢測結(jié)果。