[發明專利]非對稱結構相移光柵及DFB半導體激光器

在審

• 申請號: 201610422470.6
• 申請日: 2016-06-15
• 公開（公告）號: CN107516817A
• 公開（公告）日: 2017-12-26
• 發明（設計）人: 鄭俊守;孫雨舟;王祥忠
• 申請（專利權）人: 蘇州旭創科技有限公司
• 主分類號: H01S5/12
• 分類號: H01S5/12;H01S5/125
• 代理公司: 蘇州威世朋知識產權代理事務所(普通合伙)32235
• 代理人: 楊林潔

1.一種非對稱結構相移光柵，其特征在于，所述相移光柵包括位于相移光柵中心位置的相移結構及位于相移結構兩側的第一光柵和第二光柵，所述第一光柵和第二光柵的長度相同、刻蝕深度相同且光柵周期相等，第一光柵的占空比恒定不變，第二光柵包括切趾段光柵，切趾段光柵的占空比沿光柵軸向逐漸變化，第一光柵和第二光柵的折射率調制強度不相等。

2.根據權利要求1所述的非對稱結構相移光柵，其特征在于，所述相移結構的相移量為0、λ/4、λ/8、或λ，λ為相移光柵的輸出波長。

3.根據權利要求1所述的非對稱結構相移光柵，其特征在于，所述第二光柵全部或部分為切趾段光柵。

4.根據權利要求3所述的非對稱結構相移光柵，其特征在于，所述第一光柵的占空比為一恒定值a，0<a<1.0，其中：

當第一光柵的占空比為一恒定值a，0<a<0.5時，所述切趾段光柵的占空比沿光柵軸向由a逐漸減小到0；

當第一光柵的占空比為一恒定值a，a＝0.5時，所述切趾段光柵的占空比沿光柵軸向由0.5逐漸減小到0或由0.5逐漸增大到1.0；

當第一光柵的占空比為一恒定值a，0.5<a<1時，所述切趾段光柵的占空比沿光柵軸向由a逐漸增大到1.0。

5.一種DFB半導體激光器，所述DFB半導體激光器包括DFB激光腔及位于DFB激光腔上方和下方的若干外延層，DFB激光腔包括依次設置的光柵刻蝕阻止層、相移光柵、光柵覆蓋層，其特征在于，所述相移光柵包括位于相移光柵中心位置的相移結構及位于相移結構兩側的第一光柵和第二光柵，所述第一光柵和第二光柵的長度相同、刻蝕深度相同且光柵周期相等，第一光柵的占空比恒定不變，第二光柵包括切趾段光柵，切趾段光柵的占空比沿光柵軸向逐漸變化，DFB半導體激光器兩端面的輸出功率不相等。

6.根據權利要求5所述的DFB半導體激光器，其特征在于，所述相移結構 的相移量為0、λ/4、λ/8、或λ，λ為相移光柵的輸出波長。

7.根據權利要求5所述的DFB半導體激光器，其特征在于，所述第二光柵全部或部分為切趾段光柵。

8.根據權利要求7所述的DFB半導體激光器，其特征在于，所述第一光柵的占空比為一恒定值a，0<a<1.0，其中：

當第一光柵的占空比為一恒定值a，0<a<0.5時，所述切趾段光柵的占空比沿光柵軸向由a逐漸減小到0；

當第一光柵的占空比為一恒定值a，a＝0.5時，所述切趾段光柵的占空比沿光柵軸向由0.5逐漸減小到0或由0.5逐漸增大到1.0；

當第一光柵的占空比為一恒定值a，0.5<a<1時，所述切趾段光柵的占空比沿光柵軸向由a逐漸增大到1.0。

9.根據權利要求5所述的DFB半導體激光器，其特征在于，所述DFB半導體激光器的兩側端面均鍍有抗反射膜。

10.根據權利要求5所述的DFB半導體激光器，其特征在于，所述DFB半導體激光器為掩埋異質結型激光器或脊波導型激光器。