[發(fā)明專利]半導(dǎo)體晶體管元件及其制作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610421311.4
• 申請(qǐng)日: 2016-06-13
• 公開（公告）號(hào): CN107492572B
• 公開（公告）日: 2022-05-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周志飚;陳鼎龍;張興華
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 聯(lián)華電子股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/78
• 分類號(hào): H01L29/78;H01L21/336;H01L23/482;H01L23/50
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 陳小雯

本發(fā)明公開一種半導(dǎo)體晶體管元件及其制作方法。該半導(dǎo)體晶體管元件，包含一半導(dǎo)體基底，具有一主動(dòng)區(qū)域及圍繞主動(dòng)區(qū)域的溝槽絕緣區(qū)域、一柵極氧化層、一柵極、一間隙壁，設(shè)于柵極側(cè)壁上、一摻雜區(qū)，設(shè)于主動(dòng)區(qū)域內(nèi)位于柵極一側(cè)、一絕緣蓋層，覆蓋柵極、間隙壁及摻雜區(qū)、一重布接觸層，位于絕緣蓋層上。重布接觸層由主動(dòng)區(qū)域延伸至溝槽絕緣區(qū)域上。一接觸插塞，設(shè)于溝槽絕緣區(qū)域上，經(jīng)由重布接觸層電連接至柵極或摻雜區(qū)。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體晶體管元件及其制作方法，特別是涉及一種具有重布接觸層的半導(dǎo)體晶體管元件及其制作方法。

背景技術(shù)

半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)是建構(gòu)具有更密集或更快速的半導(dǎo)體元件的集成電路，此趨勢(shì)使得元件及電路特征結(jié)構(gòu)持續(xù)的縮小。為使集成電路上的密集半導(dǎo)體元件構(gòu)成不同的功能性電路，各半導(dǎo)體元件彼此間即需要進(jìn)行連結(jié)。

在集成電路的制造過(guò)程中，會(huì)形成各種接觸結(jié)構(gòu)或內(nèi)連結(jié)構(gòu)。例如，靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)通常需要區(qū)域內(nèi)連(local interconnect)以提高其密度。靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器利用區(qū)域內(nèi)連電連接其存儲(chǔ)器存儲(chǔ)區(qū)與其存儲(chǔ)器控制區(qū)及接觸插塞，以控制其晶體管。

然而，隨著半導(dǎo)體元件的尺寸持續(xù)微小化，如何精準(zhǔn)的在晶體管的柵極上或漏極/源極區(qū)域上形成更小的接觸洞及接觸插塞結(jié)構(gòu)，并且盡量降低接觸電阻，已經(jīng)是目前業(yè)界面臨的課題及挑戰(zhàn)。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的主要目的在于提供一種改良的半導(dǎo)體晶體管元件及其制作方法，以解決上述先前技術(shù)的不足與缺點(diǎn)。

根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，提供一種半導(dǎo)體晶體管元件，包含一半導(dǎo)體基底，其上具有一主動(dòng)區(qū)域及圍繞該主動(dòng)區(qū)域的一溝槽絕緣區(qū)域；一柵極氧化層，設(shè)于該主動(dòng)區(qū)域上；一柵極，設(shè)于該柵極氧化層上；一間隙壁，設(shè)于該柵極的一側(cè)壁上；一源極摻雜區(qū)，設(shè)于該主動(dòng)區(qū)域內(nèi)并位于該柵極的一側(cè)；一漏極摻雜區(qū)，設(shè)于該主動(dòng)區(qū)域內(nèi)并位于該柵極的另一側(cè)；一絕緣蓋層，覆蓋該柵極、該間隙壁、該源極摻雜區(qū)與該漏極摻雜區(qū)；一重布接觸層(redistributed contact layer)，位于該絕緣蓋層上，其中該重布接觸層由該主動(dòng)區(qū)域延伸至該溝槽絕緣區(qū)域上方；以及一接觸插塞，設(shè)于該溝槽絕緣區(qū)域上方的該重布接觸層上，并經(jīng)由該重布接觸層電連接至該柵極、該源極摻雜區(qū)及該漏極摻雜區(qū)的至少之一者。

本發(fā)明另一實(shí)施例提供一種制作半導(dǎo)體晶體管元件的方法。首先提供一半導(dǎo)體基底，其上具有一主動(dòng)區(qū)域及圍繞該主動(dòng)區(qū)域的一溝槽絕緣區(qū)域。接著，于該主動(dòng)區(qū)域上形成一柵極氧化層，于該柵極氧化層上形成一柵極，再于該柵極側(cè)壁上形成一間隙壁。接著于該柵極一側(cè)的該主動(dòng)區(qū)域內(nèi)形成一摻雜區(qū)，于該柵極、該間隙壁、該摻雜區(qū)上沉積一絕緣蓋層，再于該絕緣蓋層上形成一開口，其中該開口位于該柵極或該摻雜區(qū)上方。接著于該絕緣蓋層上形成一重布接觸層，其中該重布接觸層填入該開口，由該主動(dòng)區(qū)域延伸至該溝槽絕緣區(qū)域上方。再于該絕緣蓋層與該重布接觸層上形成一層間介電層。接著于該層間介電層中形成一接觸插塞，其中該接觸插塞直接接觸該重布接觸層。

為讓本發(fā)明的上述目的、特征及優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉較佳實(shí)施方式，并配合所附附圖，作詳細(xì)說(shuō)明如下。然而如下的較佳實(shí)施方式與附圖僅供參考與說(shuō)明用，并非用來(lái)對(duì)本發(fā)明加以限制者。

附圖說(shuō)明

圖1至圖6為依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例所繪示的制作半導(dǎo)體晶體管元件的方法的剖面示意圖；

圖7為依據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例所繪示的半導(dǎo)體晶體管元件的剖面示意圖；

圖8為依據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例所繪示的半導(dǎo)體晶體管元件的剖面示意圖；

圖9為依據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例所繪示的半導(dǎo)體晶體管元件的剖面示意圖。

主要元件符號(hào)說(shuō)明

100 半導(dǎo)體基底

102 溝槽絕緣區(qū)域