[發(fā)明專利]一種高方阻太陽能電池的制作方法

有效

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• 申請日: 2016-06-15
• 公開（公告）號: CN106057970B
• 公開（公告）日: 2017-11-14
• 發(fā)明（設計）人: 王英超;王紅芳;徐卓;宋登元
• 申請（專利權）人: 英利能源（中國）有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L21/02
• 代理公司: 石家莊國為知識產(chǎn)權事務所13120
• 代理人: 李榮文

技術領域

本發(fā)明涉及太陽能電池技術領域，尤其是一種高方阻太陽能電池的制作方法。

背景技術

晶硅太陽能電池已經(jīng)被大規(guī)模應用到各個領域，其良好的穩(wěn)定性和成熟的工藝流程是其大規(guī)模應用的基礎。隨著技術的進步，晶硅電池的轉(zhuǎn)換效率也得到了很大的提升，例如選擇性發(fā)射極電池、IBC電池等，在制作選擇性發(fā)射極的方法中，一種方法是在方阻較高的硅片上進行區(qū)域性重摻雜，從而使硅片表面形成重摻雜區(qū)和輕摻雜區(qū)，選擇性發(fā)射極可以提高太陽電池的開路電壓Voc，短路電流Isc，使電池獲得高的光電轉(zhuǎn)換效率。

現(xiàn)有高方阻硅片的制作方法有離子注入法、管式擴散法等。

離子注入選擇性發(fā)射極電池的工藝流程為：硅片制絨、離子注入高方阻PN結、PN結印刷磷漿料、高溫推進、形成重摻雜區(qū)、制作氮化硅膜、印刷、燒結、測試。可以看出現(xiàn)有的制作高方阻硅片工序較多，該方法制作的高方阻硅片均勻性較好，但是該方法離子注入設備非常昂貴，大量制作會產(chǎn)生較高的設備維護費用。

管式擴散選擇性發(fā)射極電池的工藝流程為：硅片制絨、PN結印刷磷漿料、形成重摻雜區(qū)、管式擴散制作高方阻PN結、同時高溫推進重摻雜區(qū)、濕法刻蝕清洗、制作氮化硅膜、印刷、燒結、測試。管式擴散設備較便宜，也可以大量生產(chǎn)，但是管式擴散設備在設計上存在不可改變的缺陷，制作的高方阻硅片均勻性很差，對后續(xù)太陽能電池的參數(shù)造成影響。怎樣把這些新技術應用到大規(guī)模的生產(chǎn)中是我們現(xiàn)階段研究的重點。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明所要解決的技術問題是提供一種高方阻太陽能電池的制作方法，該方法制作工藝簡單、設備投資及設備維護費用低、制作成本低，并能夠制作均勻的高方阻硅片，提高光電轉(zhuǎn)換效率，適于大規(guī)模生產(chǎn)。

為解決上述技術問題，本發(fā)明所采取的技術方案是：一種高方阻太陽能電池的制作方法，包括以下步驟：

A、按比例配置混合酸水溶液；混合酸水溶液為硝酸和氟化物的水溶液，占總?cè)芤旱捏w積配比為硝酸50%-65%，氟化物0.3-1.5%；

B、把去除磷硅玻璃或硼硅玻璃的硅片放入混合酸水溶液中進行清洗；

C、然后再把硅片放入純水中清洗；

D、烘干。

其中，混合酸水溶液采用65%的硝酸溶液和40%的氟化物溶液配制而成。

步驟A中所述的氟化物為氟化氫銨或氟化鈉中的一種。

步驟B中，清洗時間為2-8分鐘，清洗過程要求放置混合酸水溶液的槽中不伴隨鼓泡，溫度控制在15-25度。

步驟C中，清洗2-8分鐘，清洗過程要求在帶有超聲的槽中進行且伴隨鼓泡，純水的溫度控制在20-25度。

步驟D中，烘干溫度70-80度，時間15-20分鐘。

采用上述技術方案所產(chǎn)生的有益效果在于：利用本發(fā)明制作的高方阻硅片，硅片均勻性好、制作工藝簡單、技術要求低，無需昂貴的設備及較大的設備維護費，制作成本低，可以大規(guī)模的應用到高效晶硅太陽能電池的制作中。

具體實施方式

為了更好的理解本發(fā)明設計構思，下面結合具體實施例來說明本發(fā)明的技術方案，但本發(fā)明并不局限于此。

本發(fā)明的基本方案為：混合酸水溶液濃度按方阻要求配置，溶液含有氟化物、硝酸等，假設溶液總量是1，那么硝酸配比范圍是50%-65%，氟化氫銨的配比范圍是0.3-1.5%，本發(fā)明混合酸水溶液是使用濃度為65%的硝酸溶液和濃度40%的氟化物的溶液配制而成，其中氟化物如氟化鈉、氟化氫銨等；然后把去除磷硅玻璃或硼硅玻璃的晶硅類產(chǎn)品放入配置好的混合酸水溶液中，進行清洗，清洗時間2-8分鐘，清洗過程要求槽中不伴隨鼓泡，溫度控制在15-25度；然后把硅片再放入純水中清洗2-8分鐘，清洗過程要求在帶有超聲的槽中進行且伴隨鼓泡，純水的溫度控制在20-25度；最后把硅片再放入烘干槽中進行烘干，烘干溫度70-80度，時間15-20分鐘，烘干后即可得到相應的均勻的高方阻硅片。

其中，在混合酸水溶液中不伴隨鼓泡，是為了避免反應過于迅速劇烈，清洗不均勻而會損壞硅片；而在純水中伴隨鼓泡，利于清洗干凈，另外，采用帶有超聲的槽，能夠提供振動，利于硅片清洗干凈。

下面列舉三個具體實施例以詳細解釋本發(fā)明的技術方案

實施例一