[發明專利]CMOS圖像傳感器的雙鰭形場效應晶體管在審
| 申請號： | 201610418703.5 | 申請日： | 2016-06-13 |
| 公開（公告）號： | CN107492571A | 公開（公告）日： | 2017-12-19 |
| 發明（設計）人： | 趙立新;李杰 | 申請（專利權）人： | 格科微電子（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L29/06;H01L27/146 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | cmos 圖像傳感器 雙鰭形 場效應 晶體管 | ||
1.一種CMOS圖像傳感器的雙鰭形場效應晶體管，其特征在于，包括：
環形有源區，所述環形有源區為鰭形凸起結構，其包圍有凹槽；所述環形有源區對應于凹槽兩側的部分凸起結構分別定義為兩鰭形晶體管的溝道區域；環形有源區的兩端區域定義為晶體管的源級、漏極；
所述環形有源區的外圍區域和內部區域覆蓋有介質層進行隔離；
柵極區域，其覆蓋溝道區域及內部區域介質層和部分的外圍區域介質層。
2.根據權利要求1所述的CMOS圖像傳感器的雙鰭形場效應晶體管，其特征在于，所述環形有源區外圍區域介質層為環形介質層區；環形有源區內部區域介質層為第二介質層；
其中，所述第二介質層上表面及所述環形介質層區部分區域的上表面低于環形有源區的上表面。
3.根據權利要求1所述的CMOS圖像傳感器的雙鰭形場效應晶體管，其特征在于，所述兩側的凸起結構與柵極結構構成雙鰭形結構，增加跨導。
4.根據權利要求1所述的CMOS圖像傳感器的雙鰭形場效應晶體管，其特征在于，所述源級、漏極接觸所述外圍區域介質層，減少寄生電容。
5.根據權利要求1所述的CMOS圖像傳感器的雙鰭形場效應晶體管，其特征在于，外圍區域介質層的另一部分區域上表面與環形有源區的上表面齊平，或低于環形有源區的上表面。
6.根據權利要求1所述的CMOS圖像傳感器的雙鰭形場效應晶體管，其特征在于，所述外圍區域和內部區域的介質層的材質為二氧化硅、氮化硅。
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