[發明專利]CMOS圖像傳感器的鰭式場效應晶體管的制作方法有效
| 申請號： | 201610418700.1 | 申請日： | 2016-06-13 |
| 公開（公告）號： | CN107492500B | 公開（公告）日： | 2021-09-17 |
| 發明（設計）人： | 趙立新;李杰 | 申請（專利權）人： | 格科微電子（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/336 | 分類號： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06;H01L27/146 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | cmos 圖像傳感器 場效應 晶體管 制作方法 | ||
1.一種CMOS圖像傳感器的鰭形場效應晶體管的制作方法，其特征在于，包括：
形成至少三個相鄰的凸起結構，中間凸起結構定義為溝道區域，周邊凸起結構為輔助凸起結構；填充介質層覆蓋凸起結構；
刻蝕所述中間凸起結構與輔助凸起結構之間的區域，形成凹槽；
形成柵極氧化物層，并填充多晶硅層于凹槽中，并刻蝕多晶硅層，形成柵極區域；
在形成所述柵極區域之后，刻蝕去除所述輔助凸起結構。
2.根據權利要求1所述的CMOS圖像傳感器的鰭形場效應晶體管的制作方法，其特征在于，所述步驟還包括：形成氮化物層，所述氮化物層于刻蝕形成凹槽的步驟中起到硬掩膜的作用。
3.根據權利要求1所述的CMOS圖像傳感器的鰭形場效應晶體管的制作方法，其特征在于，所述中間凸起結構的側面坡度為：大于等于75度小于等于90度。
4.根據權利要求1所述的CMOS圖像傳感器的鰭形場效應晶體管的制作方法，其特征在于，刻蝕多晶硅層和刻蝕去除所述輔助凸起結構采用同一塊掩膜。
5.根據權利要求1所述的CMOS圖像傳感器的鰭形場效應晶體管的制作方法，其特征在于，刻蝕多晶硅層和刻蝕去除所述輔助凸起結構分別采用不同的掩膜。
6.根據權利要求1所述的CMOS圖像傳感器的鰭形場效應晶體管的制作方法，其特征在于，所述凹槽的形狀、結構對稱。
7.根據權利要求1所述的CMOS圖像傳感器的鰭形場效應晶體管的制作方法，其特征在于，所述溝道區域周圍的多晶硅層的形狀、深度、寬度對稱。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
