[發(fā)明專利]一種導(dǎo)電薄膜、其制備方法及其應(yīng)用在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201610417775.8 | 申請(qǐng)日: | 2016-06-13 |
| 公開(公告)號(hào): | CN106098960A | 公開(公告)日: | 2016-11-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 鄭甘裕 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 鄭甘裕 |
| 主分類號(hào): | H01L51/52 | 分類號(hào): | H01L51/52;H01L51/56;C23C14/08;C23C14/18;C23C14/35;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司: | 深圳青年人專利商標(biāo)代理有限公司 44350 | 代理人: | 傅俏梅 |
| 地址: | 518000 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 導(dǎo)電 薄膜 制備 方法 及其 應(yīng)用 | ||
【說明書】:
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機(jī)材料作有源部分或使用有機(jī)材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的;具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機(jī)發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機(jī)材料作有源部分或使用有機(jī)材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的;具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機(jī)發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
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- 導(dǎo)電端子及導(dǎo)電端子的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)
- 導(dǎo)電構(gòu)件及使用多個(gè)導(dǎo)電構(gòu)件的導(dǎo)電電路
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