[發明專利]用于醫療檢測設備的工作平面校準方法有效
| 申請號: | 201610417301.3 | 申請日: | 2016-06-15 |
| 公開(公告)號: | CN107514521B | 公開(公告)日: | 2021-01-15 |
| 發明(設計)人: | 董乙霏;王凱 | 申請(專利權)人: | 通用電氣公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66;F16M7/00 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人: | 侯穎媖 |
| 地址: | 美國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 醫療 檢測 設備 工作 平面 校準 方法 | ||
1.一種用于醫療檢測設備的工作平面校準方法,用于將所述醫療檢測設備的工作平面校準至與第一基準平面平行,其中所述工作平面上具有第一待校準點和第二待校準點,所述第一待校準點作為第一基準點,位于所述第一基準平面上,所述第一待校準點和第二待校準點分別為:所述醫療檢測設備上用于支撐所述工作平面的第一地腳、第二地腳在所述工作平面上的支撐點,所述醫療檢測設備的工作平面校準方法包括:
從角度測量工具接收至少一個第一傾斜角度值,每個第一傾斜角度值為:所述第一待校準點和所述第二待校準點之間的連線與所述第一基準平面之間的夾角;
根據預先存儲的所述第一待校準點和第二待校準點之間的距離以及接收的第一傾斜角度值計算所述第二待校準點與所述第一基準平面的垂直距離作為第一調節幅度;
根據所述第一調節幅度調節所述第二地腳的高度以使所述第二待校準點位于所述第一基準平面上。
2.根據權利要求1所述的用于醫療檢測設備的工作平面校準方法,其特征在于,所述用于醫療檢測設備的工作平面校準方法根據以下公式計算所述第一調節幅度:
H2=L2*tanα1,
其中,H2為所述第一調節幅度,L2為預先存儲的所述第一待校準點和所述第二待校準點之間的距離,α1為所述第一傾斜角度值。
3.根據權利要求1所述的用于醫療檢測設備的工作平面校準方法,其特征在于,所述“根據所述第一調節幅度調節所述第二地腳的高度以使所述第二待校準點位于所述第一基準平面上”包括:
對所述第二地腳進行調節以使其高度的變化值等于所述第一調節幅度。
4.根據權利要求1所述的用于醫療檢測設備的工作平面校準方法,其特征在于,
所述“根據所述第一調節幅度調節所述第二地腳的高度以使所述第二待校準點位于所述第一基準平面上高度”包括:
將所述第一調節幅度除以所述第二地腳的單次操作高度,以得到第一校準參數,所述第一校準參數包括:對所述第二地腳進行高度調節操作的操作次數,所述第二地腳的單次操作高度為:對所述第二地腳進行一次高度調節操作后所述第二地腳的高度變化值;
以所述第一校準參數對所述第二地腳進行高度調節操作。
5.根據權利要求1所述的用于醫療檢測設備的工作平面校準方法,其特征在于,還包括以下步驟:
將經過所述第二待校準點且與所述第一基準平面平行的平面作為第二基準平面,并將所述第二待校準點作為所述第二基準平面上的第二基準點,從所述角度測量工具接收第二傾斜角度值,所述第二傾斜角度值為:所述工作平面上的一個第三待校準點和所述第二待校準點之間的連線與所述第二基準平面之間的夾角,其中所述第三待校準點為:所述醫療檢測設備上用于支撐所述工作平面的第三地腳在所述工作平面上的支撐點;
根據預先存儲的所述第二待校準點和所述第三待校準點之間的距離以及接收的第二傾斜角度值計算所述第三待校準點與所述第二基準平面的垂直距離作為第二調節幅度;
計算所述第一調節幅度和第二調節幅度之間的和或差作為第三調節幅度;
根據所述第三調節幅度調節所述第三地腳的高度以使所述第三待校準點位于所述第一基準平面上。
6.根據權利要求5所述的用于醫療檢測設備的工作平面校準方法,其特征在于,所述“根據所述第三調節幅度調節所述第三地腳的高度以使所述第三待校準點位于所述第一基準平面上”包括:
對所述第三地腳進行調節以使其高度的變化值等于所述第三調節幅度。
7.根據權利要求5所述的用于醫療檢測設備的工作平面校準方法,其特征在于,
所述“根據所述第三調節幅度調節所述第三地腳的高度以使所述第三待校準點位于所述第一基準平面上”包括:
將所述第三調節幅度除以所述第三地腳的單次操作高度,以得到第二校準參數,所述第二校準參數包括:對所述第三地腳進行高度調節操作的操作次數,所述第三地腳的單次操作高度為:對所述第三地腳進行一次高度調節操作后所述第三地腳的高度變化值;
以所述第二校準參數對所述第三地腳進行高度調節操作。
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H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





