[發(fā)明專利]任意偏置下的三相電抗器的磁芯損耗測量電路及其方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610415058.1 | 申請日： | 2016-06-14 |
| 公開（公告）號： | CN105911364B | 公開（公告）日： | 2018-11-02 |
| 發(fā)明（設計）人： | 陳慶彬;鄭端端;陳為 | 申請（專利權(quán)）人： | 福州大學 |
| 主分類號： | G01R27/26 | 分類號： | G01R27/26 |
| 代理公司： | 福州君誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 35211 | 代理人： | 戴雨君 |
| 地址： | 350000 福建省*** | 國省代碼： | 福建;35 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 任意 偏置 三相 電抗 損耗 測量方法 | ||
【權(quán)利要求書】：
下載完整專利技術(shù)內(nèi)容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于福州大學，未經(jīng)福州大學許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201610415058.1/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
