[發(fā)明專利]發(fā)光二極管及其制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610413139.8
• 申請日: 2016-06-13
• 公開（公告）號: CN105845801B
• 公開（公告）日: 2018-04-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 蒙成;盧怡安;吳俊毅;王篤祥
• 申請（專利權(quán)）人: 天津三安光電有限公司
• 主分類號: H01L33/38
• 分類號: H01L33/38
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.發(fā)光二極管，包括：

發(fā)光外延疊層，包含第一半導(dǎo)體層、有源層和第二半導(dǎo)體層，其上表面劃分為歐姆接觸區(qū)和非歐姆接觸區(qū)；

歐姆接觸層，位于所述發(fā)光外延疊層的歐姆接觸區(qū)；

擴(kuò)展電極，形成于所述歐姆接觸層上，并至少部分向所述歐姆接觸層的邊沿延伸至所述發(fā)光外延疊層的非歐姆接觸區(qū)，接觸所述發(fā)光外延疊層的上表面；

透明絕緣層，覆蓋所述擴(kuò)展電極及裸露著的歐姆接觸層和發(fā)光外延疊層上表面；

電流通道，位于所述透明絕緣層內(nèi)并貫徹所述透明絕緣層，與所述擴(kuò)展電極連接，在發(fā)光外延疊層的投影位于非歐姆接觸區(qū)；

焊線電極，位于所述透明絕緣層之上，通過所述電流通道與所述擴(kuò)展電極導(dǎo)通，其在所述發(fā)光外延疊層的投影位于所述非歐姆接觸區(qū)；

當(dāng)注入電流時(shí)，迅速沿焊線電極下方的電流通道向發(fā)光外延疊層的歐姆接觸區(qū)流通，避免所述焊線電極下方有源層灌入電流發(fā)光。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于：所述焊線電極的下方及其臨近區(qū)域無歐姆接觸層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于：所述發(fā)光外延疊層上表面的非歐姆接觸區(qū)的面積大于所述焊線電極的面積。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于：所述電流通道盡可能遠(yuǎn)離所述歐姆接觸層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于：所述非歐姆接觸區(qū)分布于所述發(fā)光外延疊層上表面的兩個端部，所述擴(kuò)展電極為一系列平行的線狀結(jié)構(gòu)，其首、尾位于所述非歐姆接觸區(qū)，中間部分與所述歐姆接觸層接觸。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于：所述透明絕緣層的折射率介于所述發(fā)光外延疊層與空氣之間。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于：所述透明絕緣層與所述發(fā)光外延疊層、焊線電極構(gòu)成全方位反射系統(tǒng)，避免所述焊線電極吸光。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于：位于所述歐姆接觸區(qū)的透明絕緣層的厚度為λ/4n。

9.發(fā)光二極管的制作方法，包括步驟：

1）形成發(fā)光外延疊層及歐姆接觸層，其中發(fā)光外延疊層包含第一半導(dǎo)體層、有源層和第二半導(dǎo)體層；

2）在所述歐姆接觸層的表面定義歐姆接觸區(qū)和非歐姆接觸區(qū)，去除非歐姆接觸區(qū)的歐姆接觸層，裸露出發(fā)光外延疊層；

3）形成擴(kuò)展電極，其位于所述歐姆接觸層上，并至少部分向所述歐姆接觸層的邊沿延伸至所述發(fā)光外延疊層上表面的非歐姆接觸區(qū)，直接接觸所述裸露出的發(fā)光外延疊層；

4）形成透明絕緣層，其覆蓋所述擴(kuò)展電極及裸露著的歐姆接觸層和發(fā)光外延疊層上表面；

5）在所述形成的透明絕緣層設(shè)置電流通道，其與所述擴(kuò)展電極連接，在發(fā)光外延疊層的投影位于非歐姆接觸區(qū)；

6）形成焊線電極，其位于所述透明絕緣層之上，通過所述電流通道與所述擴(kuò)展電極導(dǎo)通，在所述發(fā)光外延疊層的投影位于所述非歐姆接觸區(qū)；

當(dāng)注入電流時(shí)，迅速沿焊線電極下方的電流通道向發(fā)光外延疊層的歐姆接觸區(qū)流通，避免所述焊線電極下方有源層灌入電流發(fā)光。

10.發(fā)光二極管的制作方法，包括步驟：

1）在一生長襯底上依次形成發(fā)光外延疊層，包含第一半導(dǎo)體層、有源層和第二半導(dǎo)體層，具有相對的第一表面和第二表面，其中第一表面遠(yuǎn)離所述生長襯底，被劃分為歐姆接觸區(qū)和非歐姆接觸區(qū)；

2）在所述發(fā)光外延疊層的第一表面之歐姆接觸區(qū)形成歐姆接觸層；

3）制作擴(kuò)展電極，其位于所述歐姆接觸層上，并至少部分向所述歐姆接觸層的邊沿延伸至所述發(fā)光外延疊層的非歐姆接觸區(qū)，接觸所述發(fā)光外延疊層；

4）提供一臨時(shí)基板，將其與所述發(fā)光外延疊層的第一表面粘接；

5）去除生長襯底，裸露出所述發(fā)光外延疊層的第二表面；

6）在所述裸露出的發(fā)光外延疊層的第二表面上形成反射鏡；

7）提供一導(dǎo)電基板，將其所述反射鏡粘接；

8）去除臨時(shí)基板，裸露出擴(kuò)展電極、部分發(fā)光外延疊層的表面和歐姆接觸層；

9）形成透明絕緣層，其覆蓋所述擴(kuò)展電極及裸露著的歐姆接觸層和發(fā)光外延疊層的第一表面；

10）在所述形成的透明絕緣層設(shè)置電流通道，其與所述擴(kuò)展電極連接，在發(fā)光外延疊層的投影位于非歐姆接觸區(qū)；

11）形成焊線電極，其位于所述透明絕緣層之上，通過所述電流通道與所述擴(kuò)展電極導(dǎo)通，在所述發(fā)光外延疊層的投影位于所述非歐姆接觸區(qū)。