[發明專利]用于基質輔助激光解析電離質譜的陣列芯片及其制備方法與應用

有效

• 申請號: 201610412641.7
• 申請日: 2016-06-13
• 公開（公告）號: CN107490615B
• 公開（公告）日: 2023-10-13
• 發明（設計）人: 林金明;王靜;李海芳
• 申請（專利權）人: 清華大學
• 主分類號: G01N27/64
• 分類號: G01N27/64;G01N1/34
• 代理公司: 北京紀凱知識產權代理有限公司 11245
• 代理人: 關暢;王春霞

1.一種陣列芯片，它包括由基底層和微孔陣列層組成的微坑陣列層；其特征在于：在所述基底層上，每個微坑的底部為具有錐孔的多孔結構，所述微坑的底部的表面上負載有金納米粒子，所述錐孔的底部沉積有銀納米粒子。

2.根據權利要求1所述的芯片，其特征在于：所述錐孔的高度為100～150nm，孔徑為100～200nm，孔間距為10～50nm。

3.根據權利要求1或2所述的芯片，其特征在于：所述銀納米粒子的直徑為100～200nm；所述金納米粒子的直徑為10～20nm。

4.根據權利要求1-3中任一項所述的芯片，其特征在于：所述基底層是由硅制成的；所述微孔陣列層是由光刻膠制成的。

5.根據權利要求1-4中任一項所述的芯片，其特征在于：所述微孔陣列層的厚度為0.1～1mm，微孔的直徑為0.1～2mm，微孔的間距為1～5mm。

6.權利要求1-5中任一項所述的陣列芯片的制備方法，包括如下步驟：

(1)制備由基底層和微孔陣列層組成的微坑陣列層；

(2)在所述基底層上，將每個微坑的底部制成具有錐孔的多孔結構，且在所述錐孔的底部沉積銀納米粒子；

(3)在所述基底層上，在所述微坑的底部的表面生成金納米粒子，即可得到所述陣列芯片。

7.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于：所述基底層為硅基底層；步驟(2)包括如下步驟：2-1)將步驟(1)中所述微坑陣列層浸泡在氫氟酸的水溶液中進行酸化處理，然后置于含有硝酸銀和氫氟酸的混合溶液中，所述微坑的表面沉積上銀納米粒子；2-2)將經步驟2-1)處理的微坑陣列層浸泡在氫氟酸和過氧化氫的混合溶液中，靜置，所述銀納米粒子垂直陷入所述硅基底層中形成底部沉積有銀納米粒子的錐孔，所述微坑的底部形成具有錐孔的多孔結構；步驟(3)的操作如下：將經步驟(2)處理的微坑陣列層浸泡在氫氟酸的水溶液中進行酸化處理，然后置于氯金酸的水溶液中，在所述微坑的底部的表面原位生成金納米粒子。

8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于：步驟2-1)中，所述氫氟酸的水溶液的質量百分含量為3％～10％，浸泡時間為10～40min；所述混合溶液由體積比為1：1的摩爾濃度為0.5～10mM的硝酸銀溶液和質量百分含量為3％～10％的氫氟酸混合得到；和/或，

步驟2-2)中，所述混合溶液由體積比為1：1的質量百分含量為3％～10％的氫氟酸的水溶液和摩爾濃度為0.1～1M的過氧化氫的水溶液混合得到；和/或，

步驟(3)中，所述氫氟酸的水溶液的質量百分含量為3％～10％，浸泡時間為 10～30min；所述氯金酸的水溶液的摩爾濃度為0.01～10mM；所述原位生成金納米離子的條件如下：溫度為30～80℃，時間為1～10min。

9.權利要求1-5中任一項所述的陣列芯片在下述1)-3)中的至少一種中的應用：

1)富集含巰基化合物；

2)輔助激光電離含巰基化合物；

3)采用基質輔助激光解析電離質譜技術檢測含巰基化合物。

10.一種用于檢測含巰基化合物的質譜儀，它包括權利要求1-5中任一項所述的陣列芯片和基質輔助激光解析電離質譜儀。