[發(fā)明專利]新型環(huán)保無縫壁布的制備方法及設(shè)備

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610412543.3
• 申請日: 2016-06-14
• 公開（公告）號: CN107503108A
• 公開（公告）日: 2017-12-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 廖斌;王宇東;于晶晶;姜其立;張旭;吳先映;羅軍
• 申請（專利權(quán)）人: 北京師范大學(xué)
• 主分類號: D06M10/06
• 分類號: D06M10/06;D06M11/46
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種利用離子注入技術(shù)來提高無縫壁布抗靜電、自清潔能力以及具備凈化室內(nèi)空氣能力的方法。

2.權(quán)利1所述的用于無縫壁布表面沉積疏水性膜層的離子注入設(shè)備。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬注入技術(shù)，其特征在于：所述基底層為無縫壁布。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的金屬注入技術(shù)，其特征在于：所述金屬元素為Ti，其注入電壓為4～80kV，束流強(qiáng)度為1～80mA，注入劑量為1×10¹⁵～5×10¹⁷/cm²，注入深度為70～420nm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的在壁布上進(jìn)行離子注入的設(shè)備，其特征在于，包括：

a)注入裝置，配置為利用兩套金屬蒸汽真空弧(MEVVA)系統(tǒng)，陰極尺寸為直徑100mm，利用所述MEVVA離子源向所述壁布基底表面注入金屬Ti元素，形成金屬注入層；其中，Ti的注入電壓為4～80kV，束流強(qiáng)度為1～80mA，注入劑量為1×10¹⁵～5×10¹⁷/cm²，注入深度為70～420nm，束斑直徑大小為0.8米。

b)卷繞裝置，配置為三根長為1.5米的不銹鋼轉(zhuǎn)軸，前后兩根轉(zhuǎn)軸為電機(jī)驅(qū)動，直徑為0.1米，中間為冷卻軸，直徑為0.2米。

6.一種提高無縫壁布抗靜電和自清潔能力的方法，其特征在于，設(shè)置有采用權(quán)利要求1至5任一項(xiàng)所述的在壁布上注入Ti而制備的環(huán)保型無縫壁布。