[發明專利]一種銅銦鎵硒薄膜太陽能電池光電吸收轉換層的制備方法

有效

• 申請號: 201610410939.4
• 申請日: 2016-06-04
• 公開（公告）號: CN105810764B
• 公開（公告）日: 2017-07-07
• 發明（設計）人: 陳良范;孫嵩泉;甄永泰
• 申請（專利權）人: 安徽恒致銅銦鎵硒技術有限公司
• 主分類號: H01L31/032
• 分類號: H01L31/032;H01L31/18;C23C14/24;C23C14/34
• 代理公司: 蚌埠鼎力專利商標事務所有限公司34102
• 代理人: 張建宏

1.一種銅銦鎵硒薄膜太陽能電池光電吸收轉換層的制備方法，其特征在于具有以下步驟：

a)、用真空濺射的方法在襯底上濺射一層0.2～2.5μm厚的銅鎵合金薄膜；

b)、將濺射了銅鎵合金薄膜的襯底放置于500～600℃的富含硒蒸汽的環境中對銅鎵合金薄膜進行硒化處理；

c)、將硒化處理后的襯底放置在設有銦蒸發源和硒蒸發源的共蒸發真空腔室內，500～600℃下將銦和硒蒸發沉積到銅鎵合金薄膜之上，形成銅銦鎵硒化合物半導體薄膜；

d)、將襯底以及其上的銅銦鎵硒化合物半導體薄膜放置入設置有鎵蒸發源的真空蒸發腔室內，在銅銦鎵硒化合物半導體薄膜上沉積厚度為5~50納米的鎵。

2.根據權利要求1所述的銅銦鎵硒薄膜太陽能電池光電吸收轉換層的制備方法，其特征在于：在上述a）步驟銅鎵合金薄膜形成后，用激光劃線的方法將銅鎵合金薄膜以及與其接觸的襯底表面一起刻劃，以規劃出太陽能電池的各個子太陽能電池。