[發明專利]一種基板處理設備

在審

• 申請號: 201610409847.4
• 申請日: 2016-06-12
• 公開（公告）號: CN107492508A
• 公開（公告）日: 2017-12-19
• 發明（設計）人: 王義正
• 申請（專利權）人: 奇勗科技股份有限公司;王義正
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/02
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司11006
• 代理人: 王玉雙,許志影

技術領域

本發明為涉及一種基板處理設備，尤指一種具有低制造成本的基板處理設備。

背景技術

半導體元件是目前許多電器及電子產品不可或缺的元件之一，于制造過程中需經由精密設備及多項制作步驟方可完成。

如美國發明專利公告第US 8,334,461號，提出一種布線板，用于安裝一電子組件，且包含多個布線層、一導線形成區域以及一周圍區域，該布線層具有設置于其間的一絕緣層，該導線形成區域是由電子元件所欲裝設的一區域而對應的部分來定義，該周圍區域圍繞該導線形成區域。

或如中國臺灣專利公告第I407536號，提出一種半導體元件的散熱座的制作方法，包含形成一覆蓋于一暫時基板的一表面上的導電層；將一半導體晶片通過至少一金屬凸塊接合于該導電層，其中該金屬凸塊介于該半導體晶片與該導電層之間；形成一金屬基板于該導電層上，其中該金屬基板填滿該半導體晶片與該導電層之間的一間隙；移除該暫時基板。

又如中國臺灣專利公告第I297537號，提出一種半導體元件的嵌入式金屬散熱座，包括一金屬薄層、至少一半導體元件、一金屬散熱座以及二電極墊，該金屬薄層具有相對的一第一表面以及一第二表面，該半導體元件嵌設在該金屬薄層的該第一表面中且具有電性相反的二電極，該金屬散熱座接合于該金屬薄層的該第二表面，該二電極墊分別對應于這些電極且設在該半導體元件周圍的該金屬薄層的該第一表面上并與一外部電路電性連接，其中這些電極通過至少二導線而分別與對應的這些電極墊電性連接。

另如中國臺灣專利公告第I405257號，提出一種分離基板與半導體層的方法，包含下列步驟，提供一暫時基板；形成一圖案化二氧化硅層位于該暫時基板上；成長一半導體層位于該圖案化二氧化硅層上；形成一金屬鏡面于該半導 體層上；第一次蝕刻該圖案化二氧化硅層；第二次蝕刻該暫時基板與該半導體層的界面以移除該暫時基板。

于以上現有技術之中，美國發明專利公告第US 8,334,461號是當欲形成布線板前需先通過濕式蝕刻方式處理而使用大量的濕蝕劑將暫時基材完全去除，然此方法需耗費大量濕蝕劑進而使制作成本提高；另，中國臺灣專利公告第I407536號是通過研磨或激光剝除方式移除暫時基板，然而研磨方式需把整片暫時基板研磨殆盡而產生耗費制程時間的問題，而激光剝除方式需通過精密且昂貴又耗電的設備來進行處理，更可能于處理過程中破壞半導體的結構而使制作成本提高；另，中國臺灣專利公告第I297537號由于金屬薄層和光電元件是藉由膠帶而貼設在暫時基板上，因此將膠帶移除即可使金屬薄層及光電元件與暫時基板分開，然而此分離方式容易使膠帶的高分子殘留于暫時基板或元件，將造成污染；另，中國臺灣專利公告第I405257號也采用濕式蝕刻將暫時基板與半導體層分離，故同樣具有類似提高制作成本的問題和缺點。

發明內容

本發明的主要目的，在于解決現有半導體制程中，因需耗費大量化學藥劑或需通過精密且昂貴又耗電的設備來將暫時基板完全移除，進而提高制作成本的問題。

為達上述目的，本發明提供一種基板處理設備，是針對一具有一暫時基板以及一形成于該暫時基板一側的半導體元件的晶圓進行處理，該基板處理設備包含有一第一半部、一第二半部及一液體供應單元，該第一半部包含有一工作平臺及一設置于該工作平臺的第一孔洞，該第二半部設置于該第一半部上方，包含有一對應于該工作平臺以形成一容置該晶圓的容置空間的上蓋以及多個設置于該上蓋的第二孔洞，該上蓋具有一位于該工作平臺上方且供該第二孔洞設置的第一表面，該液體供應單元分別與該第一孔洞及該第二孔洞連通并提供一液體至該容置空間，其中，該晶圓置放于該工作平臺且該半導體元件的一第二表面和該第一表面相距一足以讓該液體流動于該第二表面時和該第一表面接觸而對該第二表面產生一吸附力的距離，進而讓該暫時基板與該半導體元件之間形成一剝離力而使該暫時基板與該半導體元件彼此分離。

由以上可知，本發明相較于現有技藝可達到的功效在于，利用該液體供應 單元提供的該液體，當該液體于流動狀態時，將于該第一表面和該第二表面之間的一狹長空間內形成穩定層流，而定義出一流場，根據伯努利(Bernoulli)效應，該晶圓上下之間將產生一壓力差，而使該流場對該第二表面形成一動態向上吸附力；當該液體于靜止狀態時，處于該狹長空間內的該液體將根據毛細管作用而對該第二表面形成一靜態向上吸附力，而使該暫時基板與該半導體元件彼此分離。因此，不需藉由大量化學藥劑以浸泡方式處理晶圓，亦不需通過精密且昂貴又耗電的設備處理晶圓，故制造成本可大幅降低。

附圖說明