[發(fā)明專利]半導(dǎo)體設(shè)備的成膜方法以及半導(dǎo)體設(shè)備的氮化鋁成膜方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610407507.8
• 申請日: 2016-06-12
• 公開（公告）號: CN107492478B
• 公開（公告）日: 2019-07-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王軍;董博宇;郭冰亮;耿玉潔;馬懷超
• 申請（專利權(quán)）人: 北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;張?zhí)焓?/td>

1.一種半導(dǎo)體設(shè)備的成膜方法，其特征在于，包括：

依序進(jìn)行多次濺射流程，以分別在多批次基板上形成薄膜，其中，各所述濺射流程包括：

將基板載入腔室內(nèi)并放置于承載底座上；

將遮蔽盤移至靶材與所述基板之間；

在所述腔室內(nèi)通入惰性氣體以對所述靶材進(jìn)行表面修飾工藝；

進(jìn)行預(yù)濺射，以對所述靶材的表面進(jìn)行預(yù)處理；

將所述遮蔽盤從所述靶材與所述基板之間移開，并利用所述靶材對所述基板進(jìn)行主濺射以在所述基板上形成薄膜；以及

將所述基板移出所述腔室；

其中，對第N批次基板進(jìn)行的所述濺射流程的所述表面修飾工藝與對第N+1批次基板進(jìn)行的所述濺射流程的所述表面修飾工藝具有不同的工藝參數(shù)，且N為大于0的正整數(shù)。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體設(shè)備的成膜方法，其特征在于，所述表面修飾工藝中通入的所述惰性氣體包括氬氣。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體設(shè)備的成膜方法，其特征在于，對第N批次基板進(jìn)行的所述濺射流程的所述表面修飾工藝具有第一工藝時(shí)間，且對第N+1批次基板進(jìn)行的所述濺射流程的所述表面修飾工藝具有不同于所述第一工藝時(shí)間的第二工藝時(shí)間。

4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體設(shè)備的成膜方法，其特征在于，所述第二工藝時(shí)間為所述第一工藝時(shí)間的2至8倍。

5.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體設(shè)備的成膜方法，其特征在于，所述第一工藝時(shí)間為1～3秒，且所述第二工藝時(shí)間為6～8秒。

6.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體設(shè)備的成膜方法，其特征在于，對第N批次基板進(jìn)行的所述濺射流程的所述表面修飾工藝與對第N+1批次基板進(jìn)行的所述濺射流程的所述表面修飾工藝具有相同的濺射功率。

7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體設(shè)備的成膜方法，其特征在于，對第N批次基板進(jìn)行的所述濺射流程的所述表面修飾工藝與對第N+1批次基板進(jìn)行的所述濺射流程的所述表面修飾工藝具有不同的濺射功率。

8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體設(shè)備的成膜方法，其特征在于，對第N批次基板進(jìn)行的所述濺射流程的所述表面修飾工藝與對第N+1批次基板進(jìn)行的所述濺射流程的所述表面修飾工藝具有相同的工藝時(shí)間。

9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體設(shè)備的成膜方法，其特征在于，對第N批次基板進(jìn)行的所述濺射流程的所述表面修飾工藝與對第N+1批次基板進(jìn)行的所述濺射流程的所述表面修飾工藝具有不同的工藝時(shí)間與濺射功率。

10.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體設(shè)備的成膜方法，其特征在于，在所述預(yù)濺射時(shí)通入的氣體與在所述主濺射時(shí)通入的氣體相同。

11.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體設(shè)備的成膜方法，其特征在于，還包括在所述預(yù)濺射以及所述主濺射的過程中持續(xù)對所述靶材加載濺射功率。

12.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，還包括：

連續(xù)重復(fù)進(jìn)行多次所述濺射流程，其中，連續(xù)進(jìn)行的所述多次濺射流程構(gòu)成一批次濺射流程；以及

在所述一批次濺射流程之前或之后，進(jìn)行涂布處理，其中，所述涂布處理對所述靶材加載的功率介于2500瓦至4000瓦之間。