[發(fā)明專利]一種含有鉍和鹵素的半導(dǎo)體材料及其制備與分析方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610407141.4 | 申請日： | 2016-06-12 |
| 公開（公告）號： | CN106082329B | 公開（公告）日： | 2017-12-12 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 米啟兮;汪瑤 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海科技大學(xué) |
| 主分類號： | C01G29/00 | 分類號： | C01G29/00;G01N31/16 |
| 代理公司： | 上海申匯專利代理有限公司31001 | 代理人： | 翁若瑩,王婧 |
| 地址： | 201210 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 含有 鹵素 半導(dǎo)體材料 及其 制備 分析 方法 | ||
1.一種含有鉍和鹵素的半導(dǎo)體材料，其特征在于，其化學(xué)式為Cs3Bi2BrxI9–x，其中，x = 1–6.85。
2.如權(quán)利要求1所述的含有鉍和鹵素的半導(dǎo)體材料，其特征在于，所述的含有鉍和鹵素的半導(dǎo)體材料具有類鈣鈦礦晶體結(jié)構(gòu)，空間群為P?3m1。
3.權(quán)利要求1或2所述的含有鉍和鹵素的半導(dǎo)體材料的制備方法，其特征在于，包括：將Cs3Bi2Br9和Cs3Bi2I9按照一定比例混合，加熱反應(yīng)得到Cs3Bi2BrxI9–x；或者，將含有Cs、Bi和I元素的反應(yīng)物與氫溴酸反應(yīng)，冷卻結(jié)晶，得到Cs3Bi2BrxI9–x。
4.如權(quán)利要求3所述的含有鉍和鹵素的半導(dǎo)體材料的制備方法，其特征在于，所述的含有Cs、Bi和I元素的反應(yīng)物為CsBr和BiI3。
5.如權(quán)利要求3所述的含有鉍和鹵素的半導(dǎo)體材料的制備方法，其特征在于，所述的含有Cs、Bi和I元素的反應(yīng)物為CsI和Bi2O3。
6.如權(quán)利要求3所述的含有鉍和鹵素的半導(dǎo)體材料的制備方法，其特征在于，所述的含有Cs、Bi和I元素的反應(yīng)物為Cs3Bi2I9。
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