[發明專利]一種采用電子束的光刻方法有效
| 申請號： | 201610405199.5 | 申請日： | 2016-06-08 |
| 公開（公告）號： | CN107479330B | 公開（公告）日： | 2019-02-05 |
| 發明（設計）人： | 柳鵬;趙偉;林曉陽;周段亮;張春海;姜開利;范守善 | 申請（專利權）人： | 清華大學;鴻富錦精密工業（深圳）有限公司 |
| 主分類號： | G03F7/20 | 分類號： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 100084 北京市海淀區清*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 采用 電子束 光刻 方法 | ||
1.一種采用電子束的光刻方法，其特征在于，該方法包括：
提供一電子束；
使該電子束透過一二維納米材料后形成一透射電子束和多個衍射電子束；
將該透射電子束擋住；
使該多個衍射電子束照射在待加工件的表面形成多個衍射斑點；以及
根據公式和sinθ＝R/(D2+R2)1/2，通過改變所述二維納米材料與所述待加工件的表面的距離D，控制所述多個衍射電子束在待加工件的表面形成的衍射環的半徑R，其中，d表示所述二維納米材料的點陣周期，θ表示所述衍射電子束和所述透射電子束的夾角。
2.如權利要求1所述的采用電子束的光刻方法，其特征在于，所述二維納米材料為單層石墨烯或二硫化鉬。
3.如權利要求1所述的采用電子束的光刻方法，其特征在于，所述二維納米材料為多層石墨烯或二硫化鉬。
4.如權利要求1所述的采用電子束的光刻方法，其特征在于，所述二維納米材料為連續的多晶石墨烯膜。
5.如權利要求1所述的采用電子束的光刻方法，其特征在于，進一步包括：將至少一個衍射電子束擋住。
6.如權利要求5所述的采用電子束的光刻方法，其特征在于，所述將該透射電子束或衍射電子束擋住的方法為：采用一導電體將該透射電子束或衍射電子束擋住。
7.如權利要求6所述的采用電子束的光刻方法，其特征在于，所述采用導電體將該透射電子束或衍射電子束擋住的方法還包括將該導電體與所述二維納米材料電連接。
8.如權利要求1所述的采用電子束的光刻方法，其特征在于，進一步包括：采用該多個衍射電子束掃描該待加工件的表面。
9.如權利要求1所述的采用電子束的光刻方法，其特征在于，進一步包括：通過所述二維納米材料的層數，控制所述多個衍射電子束在待加工件的表面形成的衍射環的圖案。
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