[發(fā)明專利]使用解碼器/編碼器的硅通孔冗余方案及結(jié)構(gòu)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610405000.9
• 申請日: 2016-06-08
• 公開（公告）號: CN106252331B
• 公開（公告）日: 2018-01-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: S·卡納安;K·卡納安
• 申請（專利權(quán)）人: 格羅方德半導(dǎo)體公司
• 主分類號: H01L23/544
• 分類號: H01L23/544;H01L23/538
• 代理公司: 北京戈程知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11314
• 代理人: 程偉,王錦陽

1.一種制造半導(dǎo)體裝置的方法，該方法包含下列步驟：

形成硅通孔(TSV)陣列于三維(3D)集成電路(IC)堆棧的底晶粒與頂晶粒之間，該硅通孔陣列有由冗余TSV組成的橫行及直列，其中，于該硅通孔陣列中的各個TSV連接至在該底晶粒中的2：4解碼器和在該頂晶粒中的4：2優(yōu)先序編碼器；

鑒定該硅通孔陣列中的不良TSV；

判定是否要使與該不良TSV關(guān)連或?qū)?yīng)的信號位元在第一及/或第二方向向該冗余TSV的橫行或直列移位；以及

使該信號位元在該第一及/或該第二方向移位直到該信號位元已重新定向至該冗余TSV的橫行或直列。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其包括：使對應(yīng)至非冗余TSV的各個2：4解碼器連接至在該第一方向的第一毗鄰TSV以及在該第二方向的第二毗鄰TSV，該非冗余TSV和該第一及該第二毗鄰TSV形成L形圖案。

3.如權(quán)利要求1所述的方法，其包括：鑒定該不良TSV是通過：

使用一或多個電子熔絲(eFuse)單元來測試該硅通孔陣列的各個TSV。

4.如權(quán)利要求1所述的方法，判定要使與該不良TSV關(guān)連或?qū)?yīng)的該信號位元在該第一方向移位是通過：

查明在該第一方向的毗鄰TSV是否不良；

當(dāng)在該第一方向的該毗鄰TSV合格時，使該信號位元在該第一方向移位；

判定該信號位元是否已重新定向至該冗余TSV的橫行或直列；以及

重復(fù)該查明、該移位及該判定步驟直到該信號位元已移位到該冗余TSV的橫行或直列。

5.如權(quán)利要求1所述的方法，其包括：使該信號位元在該第一方向移位是通過：

致能該2：4解碼器以使該信號位元的選擇線由(00)變成(01)。

6.如權(quán)利要求1所述的方法，判定要使與該不良TSV關(guān)連或?qū)?yīng)的該信號位元在該第二方向移位是通過：

判定在該第一方向的毗鄰TSV不良；

查明在該第二方向的毗鄰TSV是否不良；

當(dāng)在該第二方向的該毗鄰TSV合格時，使該信號位元在該第二方向移位；

判定該信號位元是否已重新定向至該冗余TSV的橫行或直列；以及

重復(fù)該查明、該移位及該判定步驟直到該信號位元已移位到該冗余TSV的橫行或直列。

7.如權(quán)利要求1所述的方法，其包括：使該信號位元在該第二方向移位是通過：

致能該2：4解碼器以使該信號位元的選擇線由(00)變成(10)。

8.如權(quán)利要求1所述的方法，更包括：致能該2：4解碼器以使與合格TSV關(guān)連的信號位元的選擇線由(00)變成(11)。

9.一種半導(dǎo)體裝置，包含：

三維(3D)集成電路(IC)堆棧的底晶粒；

該三維集成電路堆棧的頂晶粒；

多個2：4解碼器，形成于該底晶粒中；

多個4：2優(yōu)先序編碼器，形成于該頂晶粒中；以及

TSV陣列，透過所述多個2：4解碼器及所述4：2優(yōu)先序編碼器連接，形成有由冗余TSV的橫行及直列所組成的該TSV陣列。

10.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置，其中，冗余TSV由該冗余TSV的橫行及直列共享。

11.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置，其中，該TSV陣列的各個TSV附接至在該底晶粒中的2：4解碼器以及在該頂晶粒中的4：2優(yōu)先序編碼器。

12.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置，其中，各個非冗余TSV使用2：4解碼器連接至在第一方向的第一毗鄰TSV及在第二方向的第二毗鄰TSV，該非冗余TSV和該第一及該第二毗鄰TSV連接成L形圖案。

13.如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體裝置，其中，用2：4解碼器將與不良TSV關(guān)連或?qū)?yīng)的信號位元重新定向至在該第一或該第二方向的毗鄰合格TSV及/或至該冗余TSV的橫行或直列。