[發(fā)明專利]一種金屬硫化物包覆單壁碳納米管納米電纜及其合成方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201610404733.0 | 申請(qǐng)日： | 2016-06-12 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN106082166B | 公開（公告）日： | 2018-01-16 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 張艷麗;何向明 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 沈陽化工大學(xué) |
| 主分類號(hào)： | C01B32/162 | 分類號(hào)： | C01B32/162;C01B32/159;C01G9/08;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 沈陽技聯(lián)專利代理有限公司21205 | 代理人： | 張志剛 |
| 地址： | 110142 遼*** | 國(guó)省代碼： | 遼寧;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 金屬 硫化物 包覆單壁碳 納米 電纜 及其 合成 方法 | ||
1.一種金屬硫化物包覆單壁碳納米管納米電纜合成方法，其特征在于，所述方法包括如下制備過程：采用化學(xué)氣相沉積（CVD）熱反應(yīng)法的方式原位制備；將石墨、催化劑、含硫生長(zhǎng)促進(jìn)劑、硅粉、金屬粉或金屬化合物粉壓制；采用惰性氣氛作為保護(hù)氣氛及載氣；在控制溫度下，石墨、催化劑、含硫生長(zhǎng)促進(jìn)劑、硅粉反應(yīng)生成單壁碳納米管；含硫生長(zhǎng)促進(jìn)劑與金屬粉或金屬化合物粉反應(yīng)生成金屬硫化物；在惰性氣氛的載氣作用下，單壁碳納米管和金屬硫化物團(tuán)簇離開原料表面，流向低溫區(qū)；在此過程中，金屬硫化物團(tuán)簇包覆于單壁碳納米管表面，制備成納米電纜；
所述惰性氣氛為Ar、N2、He、H2氣氛之一或幾種混合，流量為5-2000 ml/min；
升溫速率為2-50℃/min，反應(yīng)溫度為600-1300℃之間，反應(yīng)時(shí)間為0.1-10 h；
所述催化劑為鐵、鈷、鎳過渡族元素之一種或兩種以上混合，加入量為0.01-40.0 wt.%；含硫生長(zhǎng)促進(jìn)劑的加入量為0.01-30.0 wt.%；硅粉的加入量為0-40.0 wt.%；金屬粉或金屬化合物粉加入量為0.005-30.0 wt.%；余量為石墨。
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