[發(fā)明專利]依靠激光結(jié)晶設(shè)施的Mura量化系統(tǒng)與依靠激光結(jié)晶設(shè)施的Mura量化方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610404682.1 | 申請日： | 2016-06-08 |
| 公開（公告）號： | CN106252259A | 公開（公告）日： | 2016-12-21 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 蘇二彬;趙珉煐;趙相熙;金賢中;金成桓 | 申請（專利權(quán)）人： | AP系統(tǒng)股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/67 | 分類號： | H01L21/67;H01L21/66;H01L21/268 |
| 代理公司： | 北京品源專利代理有限公司11332 | 代理人： | 楊生平;王瑞朋 |
| 地址： | 韓國京畿*** | 國省代碼： | 韓國;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 依靠 激光 結(jié)晶 設(shè)施 mura 量化 系統(tǒng) 方法 | ||
【說明書】：
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
