[發明專利]紅外發光二極管

有效

• 申請號: 201610403930.0
• 申請日: 2016-06-12
• 公開（公告）號: CN105870227B
• 公開（公告）日: 2017-07-14
• 發明（設計）人: 黃俊凱;吳俊毅;王篤祥;吳超瑜;王進
• 申請（專利權）人: 天津三安光電有限公司
• 主分類號: H01L31/0304
• 分類號: H01L31/0304;H01L31/0352
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種紅外發光二極管，包括：第一覆蓋層、活性層、第二覆蓋層，其特征在于：所述第一覆蓋層為In_xGa_1-xAs，其中In組分為0%<X≦5%，各層間的晶格匹配差異△a₀<3800ppm，所述活性層的發光峰波長為930nm以上。

2.根據權利要求1所述的紅外發光二極管，其特征在于：所述第一覆蓋層和第二覆蓋層的厚度為1~20微米。

3.根據權利要求1所述的紅外發光二極管，其特征在于：所述第一覆蓋層為In_xGa_1-xAs的In組分為2%。

4.根據權利要求1所述的紅外發光二極管，其特征在于：所述第二覆蓋層為In_yGa_1-yAs，其中In組分為0%≦y≦5%，各層間的晶格匹配差異△a₀<3800ppm。

5.根據權利要求4所述的紅外發光二極管，其特征在于：所述第二覆蓋層為In_yGa_1-yAs的In組分為2%。

6.根據權利要求1所述的紅外發光二極管，其特征在于：所述活性層為多量子阱結構，其中阱層和壘層具有相反方向的應變，其總應變量互相調和。

7.根據權利要求6所述的紅外發光二極管，其特征在于：各層間的晶格匹配差異△a₀<1500ppm。

8.根據權利要求1所述的紅外發光二極管，其特征在于：所述發光二極管自上而下包括第一歐姆電極、接觸層、第一覆蓋層、活性層、第二覆蓋層、緩沖層、GaAs襯底和第二型歐姆電極。

9.根據權利要求1所述的紅外發光二極管，其特征在于：所述發光二極管自上而下包括第二型歐姆電極、接觸層、第二覆蓋層、活性層、第二型覆蓋層、接觸層、金屬鍵合層、Si襯底和第一型歐姆電極。