[發(fā)明專利]用于處理晶片狀物件的雙模式室在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201610403805.X | 申請(qǐng)日： | 2016-06-08 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN106298588A | 公開(kāi)（公告）日： | 2017-01-04 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 卡爾-海因茨·霍亨瓦爾特;邁克爾·帕格爾;萊因霍爾德·施瓦爾岑巴徹;米蘭·普利斯卡 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L21/67 | 分類號(hào)： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海勝康律師事務(wù)所31263 | 代理人： | 樊英如,包孟如 |
| 地址： | 暫無(wú)信息 | 國(guó)省代碼： | 暫無(wú)信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 用于 處理 晶片 物件 雙模 | ||
【權(quán)利要求書(shū)】：
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H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
