[發明專利]一種用于同時檢測多個底部接觸塞的工藝窗口的版圖結構

有效

• 申請號: 201610403191.5
• 申請日: 2016-06-08
• 公開（公告）號: CN107481948B
• 公開（公告）日: 2020-03-10
• 發明（設計）人: 李瑩
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66;H01L45/00
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 董巍;高偉

1.一種用于同時檢測多個底部接觸塞的工藝窗口的版圖結構，其特征在于，包括：

電連接測試襯墊(202,302,402)的多個第一金屬層(201,301,401)，所述第一金屬層按相同間距呈橫向排列，所述第一金屬層的走向和特征尺寸與相變材料層的走向和特征尺寸一致；

電連接有源區的多個第二金屬層(203,303,403)，位于所述版圖結構中央位置之外的所述第二金屬層彼此隔離，所述第二金屬層的走向與所述第一金屬層的走向相垂直；所述多個底部接觸塞的上端與所述相變材料層接觸。

2.根據權利要求1所述的版圖結構，其特征在于，位于所述版圖結構正中央位置的第二金屬層貫穿所述版圖結構且兩端通過第三金屬層(204,304,404)電連接至測試襯墊。

3.根據權利要求2所述的版圖結構，其特征在于，所述第三金屬層通過所述有源區與監控所述測試襯墊的元件電連接。

4.根據權利要求1所述的版圖結構，其特征在于，所述多個底部接觸塞呈圓柱形。

5.根據權利要求1所述的版圖結構，其特征在于，所述多個底部接觸塞呈正L形，所述呈正L形的底部接觸塞的上端的窄邊與所述相變材料層的走向相平行。

6.根據權利要求1所述的版圖結構，其特征在于，所述多個底部接觸塞呈正L形，所述呈正L形的底部接觸塞的上端的窄邊與所述相變材料層的走向相垂直。

7.根據權利要求5或6所述的版圖結構，其特征在于，還包括:用于定義所述多個呈正L形的底部接觸塞的尺寸的多個第一光罩(306,406)。

8.根據權利要求5或6所述的版圖結構，其特征在于，還包括:用于將所述多個呈正L形的底部接觸塞彼此隔離開來的多個第二光罩(307,407)。

9.根據權利要求1所述的版圖結構，其特征在于，還包括:位于所述版圖正中央位置的第二金屬層的兩側的用于為形成所述底部接觸塞的工藝增加工藝窗口的圖案層(205,305,405)。