[發(fā)明專利]半色調(diào)掩模板及TFT基板的制作方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610402645.7 | 申請日: | 2016-06-07 |
| 公開(公告)號: | CN105892221B | 公開(公告)日: | 2019-10-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 莫超德 | 申請(專利權(quán))人: | 深圳市華星光電技術(shù)有限公司 |
| 主分類號: | G03F1/32 | 分類號: | G03F1/32;H01L21/77 |
| 代理公司: | 深圳市德力知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 44265 | 代理人: | 林才桂 |
| 地址: | 518132 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 色調(diào) 模板 tft 制作方法 | ||
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G03 攝影術(shù);電影術(shù);利用了光波以外其他波的類似技術(shù);電記錄術(shù);全息攝影術(shù)
G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導(dǎo)體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設(shè)備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學臨近校正(OPC)設(shè)計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準或測試的特殊涂層或標記;其制備
G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導(dǎo)體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設(shè)備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學臨近校正(OPC)設(shè)計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準或測試的特殊涂層或標記;其制備
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