[發明專利]一種在導電基底上生長多孔二氧化錫納米管的方法有效
| 申請號: | 201610400837.4 | 申請日: | 2016-06-08 |
| 公開(公告)號: | CN106082314B | 公開(公告)日: | 2017-08-25 |
| 發明(設計)人: | 于京華;高超民;王衍虎;顏梅;葛慎光;張麗娜;張彥;孫曉路;張喆 | 申請(專利權)人: | 濟南大學 |
| 主分類號: | C01G19/02 | 分類號: | C01G19/02;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司: | 濟南譽豐專利代理事務所(普通合伙企業)37240 | 代理人: | 李茜 |
| 地址: | 250022 山東*** | 國省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 導電 基底 生長 多孔 氧化 納米 方法 | ||
1.一種在導電基底上基于原位自刻蝕模板機理制備一維多孔二氧化錫納米管的方法,其特征在于該方法包括以下步驟:
a. 超聲清洗摻雜氟的SnO2透明導電玻璃,簡寫為FTO,干燥后導電面向下傾斜放入高壓反應釜的聚四氟乙烯內襯中;
b. 稱取0.0658 g乙酸鋅并溶解到10 mL超純水中,得到的溶液在室溫下攪拌5 min;
c. 稱取0.0421 g六亞甲基四胺并溶解到10 mL超純水中并且室溫下攪拌5 min;
d. 將步驟c所得的溶液加入到步驟b的溶液中,室溫攪拌10 min后轉移至高壓反應釜中,封閉擰緊反應釜,于預熱的95 ℃烘箱內反應1~4 h;
e. 反應完畢后,將高壓釜自然冷卻至室溫,取出長有氧化鋅的FTO,并用超純水洗滌,然后放入真空干燥箱中60 ℃干燥8 h;
f. 稱取0.01~1 g錫酸鈉溶解到10~20 mL乙醇/超純水混合溶劑中,室溫攪拌5 min;
g. 稱取0.09~9 g尿素加入到步驟f攪拌得到的溶液中,室溫攪拌5 min,以得到混合溶液;
h. 將上述制備的ZnO/FTO傾斜放入高壓反應釜的聚四氟乙烯內襯中,導電面向下,并且將上述混合溶液轉移至反應釜中,擰緊反應釜,放入預熱的100~200 ℃烘箱內反應10~100 min;
i. 反應完畢后,將高壓釜自然冷卻到室溫,取出長有樣品的FTO,并用超純水徹底洗滌,然后放入真空干燥箱中60 ℃干燥8 h,最終在500 ℃條件下煅燒1 h以得到結晶度高的二氧化錫納米管。
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