[發(fā)明專利]流體處理裝置及其制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610398960.7
• 申請日: 2016-06-07
• 公開（公告）號: CN107469478B
• 公開（公告）日: 2023-06-06
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 楊國勇;史建偉
• 申請（專利權(quán)）人: 蘇州蘇瑞膜納米科技有限公司
• 主分類號: B01L3/00
• 分類號: B01L3/00;B82Y40/00
• 代理公司: 蘇州簡理知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 32371
• 代理人: 楊瑞玲

1.一種流體處理裝置，其特征在于包括：

具有第一流體通道的基體，所述第一流體通道具有流體入口和流體出口，所述第一流體通道的流體入口分布于所述基體的第一表面的第一區(qū)域內(nèi)；

流體阻擋部，具有與所述基體的第一表面相對設(shè)置的第二表面，用于阻止待處理流體直接進入所述第一流體通道的流體入口；

彼此間隔設(shè)置的復(fù)數(shù)個凸起部，所述凸起部一端固定設(shè)置于所述基體的第一表面的第二區(qū)域內(nèi)，另一端與所述流體阻擋部的第二表面固定連接，其中相鄰?fù)蛊鸩恐g的距離大于0但小于混雜于待處理的流體內(nèi)的選定顆粒的粒徑，所述基體的第一表面的第二區(qū)域與第一區(qū)域鄰接，從而使所述復(fù)數(shù)個凸起部、流體阻擋部與基體之間配合形成第二流體通道，且待處理的流體僅能通過所述第二流體通道進入第一流體通道；

所述復(fù)數(shù)個凸起部環(huán)繞所述第一流體通道的流體入口設(shè)置；所述基體的第一表面的第三區(qū)域內(nèi)亦間隔設(shè)置有復(fù)數(shù)個凸起部，所述第二區(qū)域設(shè)于所述第三區(qū)域和第一區(qū)域之間；所述基體的第一表面的第一區(qū)域及第二區(qū)域分布在所述流體阻擋部與所述基體的第一表面上的正投影內(nèi)；所述流體處理裝置還包括至少一個支撐體，所述支撐體為兩個以上，所述支撐體一端與所述基體固定連接，另一端與所述流體阻擋部固定連接，并且該兩個以上所述的支撐體對稱分布于所述第一流體通道的流體入口周圍；

所述基體的第一表面的第三區(qū)域環(huán)繞所述第二區(qū)域設(shè)置；

所述第一流體通道的流體入口上架設(shè)有一根以上支撐梁，所述支撐梁與所述流體阻擋部固定連接；

所述凸起部為站立設(shè)置的線狀、柱狀、片狀、管狀、錐狀、錐臺狀結(jié)構(gòu)中的任意一種；

所述凸起部的橫向截面具有規(guī)則或不規(guī)則形狀，所述規(guī)則形狀包括多邊形、圓形或橢圓形；

所述的復(fù)數(shù)個凸起部均勻分布或非均勻分布在所述基體的第一表面上；

所述第一流體通道的流體入口具有規(guī)則或不規(guī)則形狀，所述規(guī)則形狀包括多邊形、圓形或橢圓形。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的流體處理裝置，其特征在于：所述凸起部為線狀凸起，其長徑比為4：1～200000：1；和/或，相鄰?fù)蛊鸩恐g的距離與所述凸起部的長度的比值為1：4～1：200000。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的流體處理裝置，其特征在于：所述凸起部為豎立設(shè)置的微米線或納米線，其直徑為1nm～50μm，長度為50nm～200μm，相鄰?fù)蛊鸩恐g的距離為1nm～50μm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的流體處理裝置，其特征在于：分布于所述基體的第一表面的第三區(qū)域的復(fù)數(shù)個凸起部排布形成具有超疏水或超疏油性能的微米級或納米級陣列結(jié)構(gòu)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的流體處理裝置，其特征在于：所述第一流體通道的孔徑為1μm～1mm；和/或，所述基體的厚度在1μm以上；和/或，所述流體阻擋部的厚度為0.5μm～200μm；和/或，所述凸起部表面還設(shè)置有功能材料層，所述功能材料層的材質(zhì)包括光催化材料或抗菌材料；和/或，所述流體處理裝置中的至少部分組件的至少局部為透明結(jié)構(gòu)。