[發明專利]一種具有補償線圈的磁電阻傳感器有效
| 申請號: | 201610397752.5 | 申請日: | 2016-06-07 |
| 公開(公告)號: | CN107479010B | 公開(公告)日: | 2019-06-04 |
| 發明(設計)人: | 詹姆斯·G·迪克 | 申請(專利權)人: | 江蘇多維科技有限公司 |
| 主分類號: | G01R33/09 | 分類號: | G01R33/09 |
| 代理公司: | 廣州三環專利商標代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝傳鑫 |
| 地址: | 215634 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 具有 補償 線圈 磁電 傳感器 | ||
1.一種具有補償線圈的磁電阻傳感器,其特征在于:包括硅基片,以及設置在硅基片上的MR傳感器單元串、矩形軟鐵磁磁通集中器、蛇形補償線圈、連接電路和焊盤;所述的MR傳感器單元串互連接成推挽式傳感器電橋,所述的MR傳感器單元串設置在相鄰兩個所述的軟鐵磁磁通集中器之間間隙的下方,所述的蛇形補償線圈設置在所述的MR傳感器單元串的上方、且在相鄰兩個所述的軟鐵磁磁通集中器之間間隙的下方,所述的蛇形補償線圈具有通過所述的MR傳感器單元串的正極電流帶和通過矩形軟鐵磁磁通集中器的負極電流帶,所述蛇形補償線圈在硅基片上沉積刻蝕形成,所述的焊盤將傳感器橋臂和蛇形補償線圈連接到封裝結構。
2.根據權利要求1所述的一種具有補償線圈的磁電阻傳感器,其特征在于:所述的磁電阻傳感器放置在一個PCB襯底上形成傳感器芯片,所述的PCB襯底包含螺旋初始化線圈,所述的傳感器芯片設置在所述的螺旋初始化線圈的頂部,通過螺旋初始化線圈所述的傳感器橋臂的電流的方向平行于傳感器芯片的敏感軸方向。
3.根據權利要求2所述的一種具有補償線圈的磁電阻傳感器,其特征在于:所述的PCB襯底還包括引線焊盤和導電跡線,所述的引線焊盤和導電跡線用于將MR傳感器單元串互連成一個推挽式傳感器電橋,引線焊盤設置在PCB襯底的底部,傳感器芯片和引線焊盤采用塑料或者樹脂封裝在PCB襯底的頂端。
4.根據權利要求1所述的一種具有補償線圈的磁電阻傳感器,其特征在于:所述的MR傳感器單元串互連接成推挽式全橋電路。
5.根據權利要求1所述的一種具有補償線圈的磁電阻傳感器,其特征在于:所述的磁電阻傳感器采用LGA封裝結構。
6.根據權利要求1或2所述的一種具有補償線圈的磁電阻傳感器,其特征在于:包括ASIC專用集成電路,所述ASIC專用集成電路和所述傳感器電橋之間電連接。
7.根據權利要求1所述的一種具有補償線圈的磁電阻傳感器,其特征在于:使用一個引線框,所述磁電阻傳感器設置在所述的引線框上。
8.根據權利要求7所述的一種具有補償線圈的磁電阻傳感器,其特征在于:所述的引線框封裝在塑料中。
9.根據權利要求1所述的一種具有補償線圈的磁電阻傳感器,其特征在于:還包括第一絕緣層、第二絕緣層、鈍化層,所述的第一絕緣層覆蓋所述的MR傳感器單元串,所述的第二絕緣層覆蓋所述的蛇形補償線圈,所述的鈍化層沉積在整個傳感器芯片上。
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