[發明專利]一種制備二硫化錸薄膜的方法

有效

• 申請號: 201610397389.7
• 申請日: 2016-06-07
• 公開（公告）號: CN105821383B
• 公開（公告）日: 2018-04-13
• 發明（設計）人: 陳遠富;戚飛;鄭斌杰;李萍劍;周金浩;王新強;張萬里
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: C23C14/26
• 分類號: C23C14/26;C23C14/06
• 代理公司: 成都點睛專利代理事務所(普通合伙)51232
• 代理人: 葛啟函

1.一種制備二硫化錸薄膜的方法，其特征在于，包括以下步驟：在氣壓為10～200Pa的條件下，將硫粉、二硫化錸粉末和目標基底分別置于真空管式爐的爐膛前端、爐膛中心和爐膛后端，在真空條件下，通入氬氣作為工作氣體；通過控制加熱帶溫度為60～110℃使得硫粉揮發形成保護氣氛，通過控制所述爐膛的溫度為700～1000℃，氬氣流量為10～100sccm，使得二硫化錸分子高溫蒸發并通過氬氣輸運至目標基底，通過控制目標基底溫度為300～600℃，沉積時間為0.5～2小時，最終在目標基底上沉積形成二硫化錸薄膜。

2.根據權利要求1所述的一種制備二硫化錸薄膜的方法，其特征在于，所述目標基底為單晶氧化鋁基底、表面氧化的硅基底或轉移有石墨烯層的表面氧化的硅基底。

3.根據權利要求1所述的一種制備二硫化錸薄膜的方法，其特征在于，所述真空條件氣壓為1～9×10^-3Pa。