[發明專利]半導體裝置及其制造方法有效
| 申請號： | 201610397118.1 | 申請日： | 2009-10-10 |
| 公開（公告）號： | CN105870200B | 公開（公告）日： | 2019-03-01 |
| 發明（設計）人： | 秋元健吾 | 申請（專利權）人： | 株式會社半導體能源研究所 |
| 主分類號： | H01L29/786 | 分類號： | H01L29/786;H01L29/45;H01L27/12 |
| 代理公司： | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038 | 代理人： | 陳華成 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 裝置 及其 制造 方法 | ||
【權利要求書】：
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