[發明專利]一種具有積累層的金屬氧化物半導體二極管有效
| 申請號： | 201610394393.8 | 申請日： | 2016-06-03 |
| 公開（公告）號： | CN105810754B | 公開（公告）日： | 2019-01-29 |
| 發明（設計）人： | 任敏;李爽;陳哲;曹曉峰;李澤宏;張金平;高巍;張波 | 申請（專利權）人： | 電子科技大學 |
| 主分類號： | H01L29/861 | 分類號： | H01L29/861;H01L29/06 |
| 代理公司： | 成都點睛專利代理事務所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 葛啟函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 具有 積累 金屬 氧化物 半導體 二極管 | ||
【權利要求書】：
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