[發(fā)明專利]石墨烯光電探測器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610392574.7 | 申請日： | 2016-06-03 |
| 公開（公告）號： | CN105895729B | 公開（公告）日： | 2017-06-30 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 梁錚;倪振華;丁榮;梁賀君;陳谷一;袁文軍;王陽暉 | 申請（專利權(quán)）人： | 泰州巨納新能源有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/112 | 分類號： | H01L31/112;H01L31/0328;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 北京文苑專利代理有限公司11516 | 代理人： | 王煒 |
| 地址： | 225300 *** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 石墨 光電 探測器 | ||
1.一種石墨烯光電探測器，其特征在于，源極和漏極連接外部電源，1層或1層以上的石墨烯電子傳輸層設(shè)置在絕緣介質(zhì)層之上；絕緣介質(zhì)層下方依次設(shè)有半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)層和柵電極層；所述半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)層為2層以上；所述漏極和柵電極層通過柵電源連接；
半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)層采用CdSe，CdS或PbS半導(dǎo)體材料，單層厚度為3-8nm。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種石墨烯光電探測器，其特征在于，源極和漏極采用由50nm厚的金層與5nm厚的鎳層組成的復(fù)合電極。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種石墨烯光電探測器，其特征在于，絕緣介質(zhì)層選用50-200nm的SiO2，Al2O3或HfO2。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種石墨烯光電探測器，其特征在于，石墨烯電子傳輸層為1-10層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)所述的一種石墨烯光電探測器，其特征在于，柵電極層采用Si、Ge或HgCdTe。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于泰州巨納新能源有限公司，未經(jīng)泰州巨納新能源有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201610392574.7/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇：一種夾子充電寶
- 下一篇：一種移動充電樁用熱能回收裝置
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件；專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
