[發明專利]一種鈦合金微弧氧化陶瓷膜層的制備方法在審
| 申請號： | 201610391770.2 | 申請日： | 2016-06-06 |
| 公開（公告）號： | CN107460520A | 公開（公告）日： | 2017-12-12 |
| 發明（設計）人： | 宋若希;莊俊杰;宋仁國;孔德軍;李紅霞;熊纓 | 申請（專利權）人： | 寧波瑞隆表面技術有限公司 |
| 主分類號： | C25D11/26 | 分類號： | C25D11/26 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 315177 浙江省寧波*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 鈦合金 氧化 陶瓷膜 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種鈦合金微弧氧化陶瓷膜層的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
（1）配置電解液，電解液的組成濃度為：六偏磷酸鈉20-40 g/L，鉬酸鈉5-20 g/L，氫氧化鉀2-5 g/L，甘油10-30 g/L；
（2）采用直流脈沖微弧氧化裝置對清潔后的鈦合金表面進行微弧氧化，電流密度為5-15 A/dm2，頻率為400 HZ，占空比為4%，溫度控制在20-30℃，不斷攪拌下恒流微弧氧化時間為10-30 min。
2.根據權利要求1所述的鈦合金微弧氧化陶瓷膜層的制備方法，其特征在于，步驟（1）中電解液的組成濃度為：六偏磷酸鈉30 g/L，鉬酸鈉10 g/L，氫氧化鉀3 g/L，甘油15 g/L。
3.根據權利要求1所述的鈦合金微弧氧化陶瓷膜層的制備方法，其特征在于，步驟（2）中電參數為：電流密度為10 A/dm2，頻率為400 HZ，占空比為4%，不斷攪拌下恒流微弧氧化時間為15 min。
4.根據權利要求1所述的鈦合金微弧氧化陶瓷膜層的制備方法，其特征在于，所述鈦合金為TC10、TC4等常用鈦合金。
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