[發明專利]三維樹形共軛化合物-碳納米管復合物及其應用

有效

• 申請號: 201610389312.5
• 申請日: 2016-06-03
• 公開（公告）號: CN107456918B
• 公開（公告）日: 2020-03-27
• 發明（設計）人: 高威;徐文亞;竇軍彥;張祥;趙建文;馬昌期;崔錚
• 申請（專利權）人: 中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所
• 主分類號: B01F17/54
• 分類號: B01F17/54;B01F17/32;C07F7/08;C07D417/14;C01B32/174;C09D11/38;H01L51/05;H01L51/30
• 代理公司: 南京利豐知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 32256
• 代理人: 王鋒

1.一類三維樹形共軛化合物于選擇性分離半導體型碳納米管中的用途，或者，一類三維樹形共軛化合物作為碳納米管分散劑的用途；

其中，所述三維樹形共軛化合物具有式（I）或（II）所示的結構：

其中，B為支化共軛鏈接單元，Core為內核功能修飾單元，FG為末端功能修飾單元；

所述支化共軛鏈接單元B具有如下結構：

式中，支化共軛鏈接單元的外端噻吩的α-位（p-a和/或p-b）與末端功能修飾單元FG相連，或者與內端噻吩的α-位（c-a）相連形成具有下式 (V-G2)、(V-G3)或(V-G4)所示的高代數支化共軛鏈接單元：

式 (V-G2)、(V-G3)或(V-G4)所示的高代數支化共軛鏈接單元的外端噻吩單元的α-位與末端功能修飾單元FG相連接，而內端噻吩單元的α-位與內核功能修飾單元Core相連，形成具有式（I）或式（II）所示結構的分子；

所述內核功能修飾單元Core包括下式（III-1）～（III-22）中任一者所示的結構：

其中，R₁包括氫原子、取代或未取代的C1~C20的烷基或C1~C20的雜烷基；

X₁ 包括S或O，X₂ 包括O，S，C，N，Si或Se及其附屬的C1~C20的烷基或C1~C20的雜烷基，X₃包括 C或Si；

m為所述支化共軛鏈接單元B的支化度，并選自2或3；

n為所述三維樹形共軛化合物的分子中重復單元迭代次數，并選自1，2，3或4。

2.如權利要求1所述的用途，其特征在于：所述末端功能修飾單元FG包括氫原子和/或下式 ( FG-1) ～ (FG-10) 中任一者所示的結構：

。

3.如權利要求1所述的用途，其特征在于：所述三維樹形共軛化合物具有下列的任一種結構：

。

4.如權利要求1所述的用途，其特征在于：所述三維樹形共軛化合物具有下列的任一種結構：

。

5.一種三維樹形共軛化合物-碳納米管復合物，其特征在于包括：

碳納米管；

以及，至少附著于碳納米管的部分表面上的三維樹形共軛化合物；

其中，所述三維樹形共軛化合物具有式（I）或（II）所示的結構：

其中，B為支化共軛鏈接單元，Core為內核功能修飾單元，FG為末端功能修飾單元；

所述支化共軛鏈接單元B具有如下結構：

式中，支化共軛鏈接單元的外端噻吩的α-位（p-a和/或p-b）與末端功能修飾單元FG相連，或者與內端噻吩的α-位（c-a）相連形成具有下式 (V-G2)、(V-G3)或(V-G4)所示的高代數支化共軛鏈接單元：

式 (V-G2)、(V-G3)或(V-G4)所示的高代數支化共軛鏈接單元的外端噻吩單元的α-位與末端功能修飾單元FG相連接，而內端噻吩單元的α-位與內核功能修飾單元Core相連，形成具有式（I）或式（II）所示結構的分子；

所述內核功能修飾單元Core包括下式（III-1）～（III-22）中任一者所示的結構：

其中，R₁包括氫原子、取代或未取代的C1~C20的烷基或C1~C20的雜烷基；

X₁ 包括S或O，X₂ 包括O，S，C，N，Si或Se及其附屬的C1~C20的烷基或C1~C20的雜烷基，X₃包括 C或Si；

m為所述支化共軛鏈接單元B的支化度，并選自2或3；

n為所述三維樹形共軛化合物的分子中重復單元迭代次數，并選自1，2，3或4。

6.根據權利要求5所述的三維樹形共軛化合物-碳納米管復合物，其特征在于：所述末端功能修飾單元FG包括氫原子和/或下式 ( FG-1) ～ (FG-10) 中任一者所示的結構：

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