[發明專利]半導體結構及其制造方法

有效

• 申請號: 201610388842.8
• 申請日: 2016-06-02
• 公開（公告）號: CN107464744B
• 公開（公告）日: 2019-11-26
• 發明（設計）人: 宋長庚;曹恒
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027
• 代理公司: 31237 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙)
• 代理人: 屈蘅;李時云<國際申請>=<國際公布>=

1.一種半導體結構的制造方法，包括：

提供襯底，所述襯底上形成有第一介質層；

在所述第一介質層上形成內核層，所述內核層包括多個條狀結構及一個連接結構，部分相鄰的多個條狀結構通過所述連接結構相連接形成第一切斷區；

在所述第一介質層上內核層兩側形成第二介質層，所述第二介質層呈折線狀，所述第二介質層圍繞所述第一切斷區處形成第二切斷區；

去除所述內核層；

在所述第二切斷區上形成掩膜層，所述掩膜層位于所述第二切斷區的內部且不與所述第二切斷區的邊緣重合；

以所述掩膜層和第二介質層為掩膜，刻蝕所述第一介質層形成溝槽，暴露出襯底；

去除所述掩膜層和第二介質層，在第一介質層中形成最終切斷區；

在所述溝槽中形成金屬層。

2.如權利要求1所述的半導體結構的制造方法，其特征在于，所述條狀結構沿第一方向分布，所述連接結構沿第二方向分布，所述第一方向與第二方向垂直。

3.如權利要求1或2所述的半導體結構的制造方法，其特征在于，所述掩膜層的材料為光阻。

4.如權利要求2所述的半導體結構的制造方法，其特征在于，所述掩膜層的形狀為方形，所述掩膜層中平行于所述第一方向的邊界處于第二切斷區中相鄰的第二介質層之間，其中，所述相鄰的第二介質層的其中之一位于第二切斷區的邊緣位置。

5.如權利要求1所述的半導體結構的制造方法，其特征在于，在所述第一介質層上內核層兩側形成第二介質層為采用原子層沉積工藝形成氧化層或氮化層。

6.如權利要求1所述的半導體結構的制造方法，其特征在于，在所述溝槽中形成金屬層之后，還包括：

對所述金屬層進行平坦化。

7.如權利要求6所述的半導體結構的制造方法，其特征在于，所述金屬層的材料為銅。