[發(fā)明專(zhuān)利]有機(jī)薄膜晶體管制備方法和制備裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610384814.9
• 申請(qǐng)日: 2016-06-02
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107464880B
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-04-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 魏洋;范守善
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 清華大學(xué);鴻富錦精密工業(yè)（深圳）有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L51/40
• 分類(lèi)號(hào): H01L51/40
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

1.一種有機(jī)薄膜晶體管的制備方法，包括：

在絕緣基底上制備有機(jī)半導(dǎo)體層、源極、漏極、柵極及絕緣層的步驟，該制備有機(jī)半導(dǎo)體層的步驟包括：

S1，提供一蒸發(fā)源，該蒸發(fā)源包括碳納米管膜結(jié)構(gòu)及有機(jī)半導(dǎo)體層源材料，該碳納米管膜結(jié)構(gòu)為一載體，該碳納米管膜結(jié)構(gòu)至少部分懸空設(shè)置，該有機(jī)半導(dǎo)體層源材料設(shè)置在懸空的碳納米管膜結(jié)構(gòu)表面，通過(guò)該碳納米管膜結(jié)構(gòu)承載，該有機(jī)半導(dǎo)體層源材料為該有機(jī)半導(dǎo)體層的材料或者用于形成該有機(jī)半導(dǎo)體層的前驅(qū)體，該前驅(qū)體在蒸鍍的過(guò)程中反應(yīng)生成該有機(jī)半導(dǎo)體層；以及

S2，將該蒸發(fā)源與絕緣基底相對(duì)且間隔設(shè)置，并向該碳納米管膜結(jié)構(gòu)輸入電磁波信號(hào)或電信號(hào)，使該有機(jī)半導(dǎo)體層源材料蒸發(fā)，在該絕緣基底上蒸鍍形成有機(jī)半導(dǎo)體層。

2.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，該有機(jī)半導(dǎo)體層源材料通過(guò)溶液法、沉積法、蒸鍍法、電鍍法或化學(xué)鍍法等方法承載在該碳納米管膜結(jié)構(gòu)表面。

3.如權(quán)利要求2所述的有機(jī)薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，在該碳納米管膜結(jié)構(gòu)表面承載該有機(jī)半導(dǎo)體層源材料包括以下步驟：

S11，將該有機(jī)半導(dǎo)體層源材料溶于或均勻分散于一溶劑中，形成一溶液或分散液；

S12，將該溶液或分散液均勻附著于該碳納米管膜結(jié)構(gòu)表面；以及

S13，將附著在該碳納米管膜結(jié)構(gòu)表面的溶液或分散液中的溶劑蒸干，從而將該有機(jī)半導(dǎo)體層源材料均勻的附著在該碳納米管膜結(jié)構(gòu)表面。

4.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，該步驟S2進(jìn)一步包括將該蒸發(fā)源及有機(jī)半導(dǎo)體層源材料設(shè)置在真空室中，在真空中向該碳納米管膜結(jié)構(gòu)輸入所述電磁波信號(hào)或電信號(hào)的步驟。

5.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，當(dāng)向該碳納米管膜結(jié)構(gòu)輸入電磁波信號(hào)時(shí)，進(jìn)一步包括提供一電磁波信號(hào)輸入裝置，使該電磁波信號(hào)輸入裝置向該碳納米管膜結(jié)構(gòu)發(fā)出電磁波信號(hào)的步驟。

6.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，當(dāng)向該碳納米管膜結(jié)構(gòu)輸入電信號(hào)時(shí)，進(jìn)一步包括提供第一電信號(hào)輸入電極及第二電信號(hào)輸入電極，使該第一電信號(hào)輸入電極及第二電信號(hào)輸入電極相互間隔并分別與該碳納米管膜結(jié)構(gòu)電連接的步驟。

7.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，該步驟S2進(jìn)一步包括提供一圖案化柵網(wǎng)，將該圖案化柵網(wǎng)設(shè)置在該蒸發(fā)源與該基底具有第一電極的表面之間，從而形成圖案化有機(jī)半導(dǎo)體層的步驟。

8.如權(quán)利要求7所述的有機(jī)薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，該圖案化柵網(wǎng)包括通孔陣列，該圖案化有機(jī)半導(dǎo)體層為有機(jī)半導(dǎo)體層陣列。

9.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，該蒸發(fā)源與待鍍表面之間的間距為1微米～10毫米。

10.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，該步驟S1進(jìn)一步包括提供兩個(gè)相互間隔的支撐體，分別設(shè)置在該碳納米管膜結(jié)構(gòu)的兩端，使該碳納米管膜結(jié)構(gòu)在該兩個(gè)支撐體之間懸空設(shè)置的步驟。

11.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，該碳納米管膜結(jié)構(gòu)的單位面積熱容小于2×10^-4焦耳每平方厘米開(kāi)爾文，比表面積大于200平方米每克。