[發(fā)明專利]半導(dǎo)體晶片表面真空鍍膜工藝有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610384640.6 | 申請日： | 2016-06-02 |
| 公開（公告）號： | CN106048543B | 公開（公告）日： | 2018-08-03 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 阮秀滄 | 申請（專利權(quán)）人： | 泉州市依科達(dá)半導(dǎo)體致冷科技有限公司 |
| 主分類號： | C23C14/34 | 分類號： | C23C14/34;C23C14/14 |
| 代理公司： | 福州市鼓樓區(qū)鼎興專利代理事務(wù)所(普通合伙) 35217 | 代理人： | 程捷 |
| 地址： | 362000 福建省泉州市泉*** | 國省代碼： | 福建;35 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 晶片 表面 真空鍍膜 工藝 | ||
【權(quán)利要求書】：
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- 專利分類
C23 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制
C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴(kuò)散法，化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理
C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴(kuò)散法，化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理
