[發明專利]一種單晶石榴石厚膜的間歇式液相外延生長方法有效
| 申請號： | 201610382107.6 | 申請日： | 2016-05-31 |
| 公開（公告）號： | CN105887201B | 公開（公告）日： | 2018-06-19 |
| 發明（設計）人： | 楊青慧;郝俊祥;張懷武;馬博;饒毅恒;田曉潔;賈利軍 | 申請（專利權）人： | 電子科技大學 |
| 主分類號： | C30B29/28 | 分類號： | C30B29/28;C30B19/00;C30B19/10 |
| 代理公司： | 電子科技大學專利中心 51203 | 代理人： | 李明光 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 生長 厚膜 單晶石榴石 薄膜 模擬曲線 液相外延生長 間歇式生長 晶格匹配 間歇式 晶格匹配度 石榴石單晶 石榴石厚膜 薄膜晶格 薄膜生長 表面平整 磁光器件 多次重復 結構致密 晶格失配 速率變化 液相外延 制備熔體 單晶態 基底 預設 制備 微波 清洗 測試 應用 | ||
【說明書】：
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