[發明專利]一種金屬掩膜及其制備方法

在審

• 申請號: 201610379837.0
• 申請日: 2016-06-01
• 公開（公告）號: CN107447191A
• 公開（公告）日: 2017-12-08
• 發明（設計）人: 高志豪
• 申請（專利權）人: 上海和輝光電有限公司
• 主分類號: C23C14/04
• 分類號: C23C14/04;G03F7/00;H01L21/027;H01L27/32
• 代理公司: 上海隆天律師事務所31282
• 代理人: 臧云霄,李峰

1.一種金屬掩膜，其特征在于，包括：

開孔區，包括多個通孔；以及

半開孔區，包括多個凹槽，所述多個凹槽表面低于所述金屬掩膜的表面；

其中,所述開孔區與所述半開孔區不相互重疊。

2.根據權利要求1所述的金屬掩膜，其特征在于，所述半開孔區位于所述開孔區的一側邊。

3.根據權利要求2所述的金屬掩膜，其特征在于，所述多個凹槽的形狀為圓形、橢圓形或多邊形。

4.一種金屬掩膜的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

(1)提供一掩膜底板，其具有第一面及與其相對的第二面，至少在所述第一面上涂布感光光阻；

(2)對所述掩膜底板曝光、顯影、蝕刻，從而在第一面上形成開孔區與半開孔區，所述開孔區與所述半開孔區不相互重疊，所述開孔區包括不通透的多個預備孔，所述半開孔區包括多個凹槽，所述多個凹槽表面低于所述第一面；

(3)在所述掩膜底板的第二面上涂布感光光阻，并曝光、顯影，隨后僅在該面上與第一面開孔區的多個預備孔相應位置進行蝕刻，使所述多個預備孔形成通孔。

5.根據權利要求4所述的金屬掩膜的制備方法，其特征在于，還包括步驟(4)，在所述半開孔區內的多個凹槽中選擇需要開孔通透的凹槽進行通孔。

6.根據權利要求5所述的金屬掩膜的制備方法，其特征在于，所述步驟(2)中，所述半開孔區的凹槽全部位于所述開孔區的一側邊。

7.根據權利要求5所述的金屬掩膜的制備方法，其特征在于，所述步驟(4)中，用激光對需要開孔的凹槽進行開孔。

8.根據權利要求5所述的金屬掩膜的制備方法，其特征在于，所述步驟(4)中，用刀輪對需要開孔的凹槽進行開孔。

9.根據權利要求5所述的金屬掩膜的制備方法，其特征在于，所述步驟(4)中，用刀片對需要開孔的凹槽進行開孔。