[發(fā)明專利]一種氧化鈦柱狀陣列/二維層狀碳化鈦電極材料及其制備和應(yīng)用在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610378840.0 | 申請日： | 2016-05-31 |
| 公開（公告）號： | CN105895385A | 公開（公告）日： | 2016-08-24 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 朱建鋒;趙倩楠;湯祎;李學(xué)林;趙婷;王芬;牛冬娟 | 申請（專利權(quán)）人： | 陜西科技大學(xué) |
| 主分類號： | H01G11/30 | 分類號： | H01G11/30;H01G11/32;H01G11/46;H01G11/86 |
| 代理公司： | 西安智大知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 61215 | 代理人： | 弋才富 |
| 地址： | 710021 陜西省*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 氧化 柱狀 陣列 二維 層狀 碳化 電極 材料 及其 制備 應(yīng)用 | ||
【說明書】：
下載完整專利技術(shù)內(nèi)容需要扣除積分，VIP會員可以免費(fèi)下載。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于陜西科技大學(xué)，未經(jīng)陜西科技大學(xué)許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201610378840.0/2.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
