[發(fā)明專(zhuān)利]CZ?80單晶爐自動(dòng)收尾方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610375201.9
• 申請(qǐng)日: 2016-05-31
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN105803520B
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-02-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王會(huì)敏;何京輝;曹祥瑞;顏超;程志;范曉甫;周子江;趙貝;劉欽;陳二星
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 邢臺(tái)晶龍電子材料有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): C30B15/22
• 分類(lèi)號(hào): C30B15/22;C30B15/20;C30B29/06
• 代理公司: 石家莊國(guó)為知識(shí)產(chǎn)權(quán)事務(wù)所13120
• 代理人: 陸林生

1.CZ-80單晶爐自動(dòng)收尾方法，其特征在于，用CZ-80單晶爐的單晶生長(zhǎng)PLC控制系統(tǒng)進(jìn)行收尾操作，包括：

1)單晶收尾開(kāi)始時(shí)單晶拉速和溫校值的設(shè)定，以及

2)單晶收尾結(jié)束前隨單晶收尾長(zhǎng)度的變化而調(diào)節(jié)單晶拉速和溫校值；

所述步驟1)中，收尾開(kāi)始時(shí)溫校值為20，收尾開(kāi)始時(shí)單晶拉速a依據(jù)單晶等徑生長(zhǎng)末尾段的平均拉速設(shè)定，若該平均拉速低于0.8mm/min，則將a設(shè)為0.6mm/min，若該平均拉速高于0.8mm/min，則將a設(shè)為0.7mm/min；

所述步驟2)中，單晶收尾長(zhǎng)度達(dá)到20mm后，隨單晶收尾長(zhǎng)度增長(zhǎng)逐次增大單晶拉速并同時(shí)降低溫校值，直至單晶拉速為b且溫校值為0，其中b＝(a+0.61)mm/min；

單晶拉速的每次增加值在總體上呈遞增關(guān)系，其遞增量為0.01～0.05mm/min；溫校值每次降低1～3；

所述溫校值是CZ-80單晶爐單晶生長(zhǎng)PLC控制系統(tǒng)中的功率變化參數(shù)，滿(mǎn)足如下關(guān)系：

溫校值設(shè)定為x，則每過(guò)1min，單晶爐的加熱功率對(duì)應(yīng)增加y，y＝x×2.5w；

其中，w為加熱功率y的單位。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的CZ-80單晶爐自動(dòng)收尾方法，其特征在于，所述步驟2)中，單晶收尾長(zhǎng)度每增長(zhǎng)20mm，調(diào)整一次單晶拉速和溫校值。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的CZ-80單晶爐自動(dòng)收尾方法，其特征在于，所述單晶等徑生長(zhǎng)末尾段的平均拉速是指等徑生長(zhǎng)階段后100mm生長(zhǎng)時(shí)單晶拉速的平均值。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的CZ-80單晶爐自動(dòng)收尾方法，其特征在于，所述步驟2)中，單晶收尾長(zhǎng)度達(dá)到20mm時(shí)，將單晶拉速增大0.03mm/min，同時(shí)將溫校值減小2；單晶收尾長(zhǎng)度達(dá)到40mm時(shí)，將單晶拉速增大0.03mm/min，同時(shí)將溫校值減小3；單晶收尾長(zhǎng)度達(dá)到60mm時(shí)，將單晶拉速增大0.04mm/min，同時(shí)將溫校值減小2；單晶收尾長(zhǎng)度達(dá)到80mm時(shí)，將單晶拉速增大0.05mm/min，同時(shí)將溫校值減小3；單晶收尾長(zhǎng)度達(dá)到100mm時(shí)，將單晶拉速增大0.06mm/min，同時(shí)將溫校值減小2；單晶收尾長(zhǎng)度達(dá)到120mm時(shí)，將單晶拉速增大0.07mm/min，同時(shí)將溫校值減小2；單晶收尾長(zhǎng)度達(dá)到140mm時(shí)，將單晶拉速增大0.08mm/min，同時(shí)將溫校值減小1；單晶收尾長(zhǎng)度達(dá)到180mm時(shí)，將單晶拉速增大0.10mm/min，同時(shí)將溫校值減小2；單晶收尾長(zhǎng)度達(dá)到200mm時(shí)，將單晶拉速增大0.15mm/min，同時(shí)將溫校值減小3，溫校值為0。