[發明專利]一種雙向致動力輸出形狀記憶合金及其制備方法有效
| 申請號： | 201610375042.2 | 申請日： | 2016-05-31 |
| 公開（公告）號： | CN105840701B | 公開（公告）日： | 2018-03-30 |
| 發明（設計）人： | 溫中蒙;禹超;蘇杰 | 申請（專利權）人： | 爾智機器人（上海）有限公司 |
| 主分類號： | F16F1/02 | 分類號： | F16F1/02 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 200000 上海市浦東新區*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 雙向 動力 輸出 形狀 記憶 合金 及其 制備 方法 | ||
1.一種雙向致動力輸出形狀記憶合金的制備方法，其特征在于，包括：
提供單向形狀記憶合金，所述單向形狀記憶合金的厚度為100-150微米；
在所述單向形狀記憶合金的預設區域沉積鍍膜，所述鍍膜的熱膨脹系數與所述單向形狀記憶合金的熱膨脹系數不同；
鍍膜為SiO2，所述鍍膜的厚度為4-8微米，在150-300℃下，采用PVD法進行沉積。
2.如權利要求1所述的雙向致動力輸出形狀記憶合金的制備方法，其特征在于，所述鍍膜的熱膨脹系數小于所述單向形狀記憶合金的熱膨脹系數。
3.如權利要求1所述的雙向致動力輸出形狀記憶合金的制備方法，其特征在于，單向形狀記憶合金為鎳鈦合金、銅基單向形狀記憶合金或者鐵基單向形狀記憶合金。
4.一種雙向致動力輸出形狀記憶合金，其特征在于，包括：
單向形狀記憶合金，所述單向形狀記憶合金的厚度為100-150微米；
鍍膜，所述鍍膜粘附于所述單向形狀記憶合金的預設區域，且所述鍍膜的熱膨脹系數與所述單向形狀記憶合金的熱膨脹系數不同；
所述鍍膜為在150-300℃下，采用PVD法進行沉積得到的SiO2，所述鍍膜的厚度為4-8微米。
5.如權利要求4所述的雙向致動力輸出形狀記憶合金，其特征在于，所述鍍膜的熱膨脹系數小于所述單向形狀記憶合金的熱膨脹系數。
6.如權利要求4所述的雙向致動力輸出形狀記憶合金，其特征在于，單向形狀記憶合金為鎳鈦合金、銅基單向形狀記憶合金或者鐵基單向形狀記憶合金。
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